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晶圆的制造过程

YXLERLY 2018-03-13 18:32:42 333  浏览
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  • 丫头love笑 2018-03-14 00:00:00
    晶圆是制造半导体芯片的基本材料,半导体集成电路Z主要的原料是硅,因此对应的就是硅晶圆。 硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。 首先是硅提纯,将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳与氧结合,剩下硅),得到纯度约为98%的纯硅,又称作冶金级硅,这对微电子器件来说不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感,因此对冶金级硅进行进一步提纯:将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,成为电子级硅。 接下来是单晶硅生长,Z常用的方法叫直拉法。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的空气通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的,在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。用直拉法生长后,单晶棒将按适当的尺寸进行切割,然后进行研磨,将凹凸的切痕磨掉,再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜,晶圆片制造就完成了。 单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的,一般来说,上拉速率越慢,生长的单晶硅棒直径越大。而切出的晶圆片的厚度与直径有关,虽然半导体器件的制备只在晶圆的顶部几微米的范围内完成,但是晶圆的厚度一般要达到1 mm,才能保证足够的机械应力支撑,因此晶圆的厚度会随直径的增长而增长。 晶圆制造厂把这些多晶硅融解,再在融液里种入籽晶,然后将其慢慢拉出,以形成圆柱状的单晶硅晶棒,由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成,此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段,滚磨,切片,倒角,抛光,激光刻,包装后,即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片,这就是“晶圆”。

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晶圆制造设备怎么配套
题目比较大,比如8寸,一条线,主设备MOVCD与其他各种设备的搭配
2018-12-08 03:08:53 361 0
晶圆测试及芯片测试

一、需求目的:1、热达标;2、故障少 1KJ[&jS ]
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 ): r'IR
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: MW=rX>tE
1、顶层设计 k\ZU%"^J
2、仿真 Ppx4#j
3、热设计及功耗 B<~BX [
4、资源利用、速率与工艺 -&QpQ7q1
5、覆盖率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具体到测试有哪些需要关注: SW HiiF@
1、可测试性设计 W=,]#Z+M;
2、常规测试:晶圆级、芯片级 8Z 0@-8vi
3、可靠性测试 c{jTCkzq
4、故障与测试关系 K=dG-+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
测试有效性保证; |Lc.XxBkc
设计保证?测试保证?筛选?可靠性?  x![ut  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 cn'r BY

晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Nh6!h%
晶圆的工艺参数监测dice, V j[,o Vt$
:/;;|lGw
Ul|htB<1:
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 `L.nj6F
=8 DS~J{
  a!;K+wL>
故障种类: :n oZ p:a
缺陷种类: 0|(6q=QK
针对性测试: fc%C!^7
~Ecx>f4nX
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test YKa9]Q
|PLWF[+t8
t;lK=m|
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; szy2"~hm
仿真与误差, {z8wFL\
n 预研阶段 Vc "+|^
n 顶层设计阶段 !Ee&e~"
n 模块设计阶段 e`% <D[-
n 模块实现阶段 Bv}nG|
n 子系统仿真阶段 oh >0}Gc8
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 r6}-EYq=
n 后端版面设计 LLwC*)#
n 测试矢量准备 <*djtO
n 后端仿真 mB*;> 
n 生产 eo4v[V&
n 硅片测试 N1'$;9 c
顶层设计: @Y+9")?
n 书写功能需求说明 _MUSXB'
n 顶层结构必备项 <7J\8JR&=
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 !Bb^M3iA  
n 完成顶层结构设计说明 -2y>X`1Y
n 确定关键的模块(尽早开始) ~6Hi"w
n 确定需要的第三方IP模块 W/
n 选择开发组成员 IsB=G-s
n 确定新的开发工具 6ieP` bct
n 确定开发流程/路线 >3y:cPTM5
n 讨论风险 GhY MO6Q4
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 AJ85[~(lX
n 国软检测 芯片失效分析ZX

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有关LCD的制造过程
有谁知道LCD的制造过程,就是说从一块白玻璃到成型的液晶玻璃要经过哪些设备的加工。请把这些设备名称告诉我,非常谢谢!
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晶圆代工迎来新的黄金期

晶圆代工迎来新的黄金期

近期,以台积电为代表的几大晶圆代工厂备受关注,原因在于它们2020年diyi季度的财报。与各大IDM和Fablessdiyi和第二季度低迷的财报或财测不同,台积电、联电和中芯国际这三大晶圆代工厂的业绩十分亮眼,与当下疫情给半导体产业带来的负面影响形成了鲜明的对比。看来,晶圆代工(Foundry)这种商业模式确有其过人之处。

2019年10月,DIGITIMES Research预估 2019至2024年晶圆代工产值年复合增长率(CAGR)有望达到5.3%。而突如其来的疫情肯定会拉低这一预估,不过,台积电对外展现出了较为乐观的态度,该公司认为,2019至2024年,不含存储器的半导体业年复合增长率有望达到5%,而晶圆代工业的增长幅度将比整个半导体业要高一些。不过,受到疫情影响,2020年半导体业将呈现同比负增长,这已经成为行业普遍共识。而在这样低迷的经济环境下,台积电预计其全年的营收将实现同比增长15%左右,这是一个很亮眼的数字了。
晶圆代工业之所以能够逆势增长,首先是由其自身的商业模式决定的。
在半导体产业发展初期,是不存在IC设计和制造分工的,只有一种IDM模式,随着市场和产业发展,一些规模较小的厂商,因为财力有限,无法负担自有晶圆厂,因此,就会把设计的芯片交给实力较为雄厚的IDM制造,这是Z早的代工模型。然而,早期在ZL保护意识缺乏的情况下,将设计出来的芯片交给其他IDM制造,存在着较大的产品安全风险,即竞争对手很可能会掌握你的芯片信息。
这样,晶圆代工模式应运而生,1987年,台积电创建,开创了一个新的时代。自那以后,随着市场和产业发展,无晶圆厂的Fabless数量逐年增加,给晶圆代工厂带来了滚滚财源,也因此,更多的Foundry涌现出来,不过,与越来越多的Fabless数量相比,Foundry的数量还是相对有限的,直到今天依然如此。毕竟,由于重资产和高技术密集的特点,筹建一家Foundry的难度要远大于Fabless。
对于Foundry来说,由于长期专注于晶圆代工业务,且给自己的定位明确,并能持之以恒;另外,这种商业模式的多客户、多产品线、多制程特点,比IDM和Fabless更加厚重且多元,某种程度上,其抗风险能力更强。
除了自身特点之外,晶圆代工厂能够交出亮眼的业绩,且在未来几年内的年复合增长率大概率会高于全行业平均水平,还有多种市场因素,主要包括以下三点:终端设备的芯片元器件用量逐年提升;IDM芯片制造外包业务增加;设备和互联网厂商自研芯片增加。这三大增量市场内的芯片大都需要交给晶圆代工厂生产,因此,未来几年Foundry的业绩很值得期待。


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模具的制造过程是怎么样的?
模具设计师用UG或其它软件在电脑上绘图后,接下来要做什么? 电脑上画好的图有什么用?
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晶圆清洗机主要结构特点及工艺流程

 一.产品结构

晶圆清洗机主要结构特点:
1、采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业
2、采用第三代技术,全面完善的防酸防腐措施,保护到机器每一个角落
3、全自动补液技术
4、*的硅片干燥前处理技术,保证硅片干燥不留任何水痕
5、成熟的硅片干燥工艺,多种先进技术集于一身

6、彩色大屏幕人机界面操作,方便参数设置多工艺方式转换


二.产品特点
晶圆清洗机具有以下特点:
1、械手或多机械手组合,实现工位工艺要求。
2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面,操作便利。
3、自动上下料台,准确上卸工件。
4、净化烘干槽,*的烘干前处理技术,工作干燥无水渍。
5、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。
6、具备抛动清洗功能,保证清洗均匀。
7、全封闭清洗均匀。

8、全封闭外壳与抽风系统,确保良好工作环境。


三、晶圆清洗机工艺流程

    自动上料→去离子水+超声波清洗+振动筛抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料


四、晶圆清洗机应用范围
1、炉前清洗:扩散前清洗。
2、光刻后清洗:除去光刻胶。
3、氧化前自动清洗:氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、抛光后自动清洗:除去切、磨、抛的沾污。
5、外延前清洗:除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面钝化前清洗:除去铝布线后,表面杂质及光胶残渣。
7、离子注入后的清洗:除去光刻胶,SiO2层。
8、扩散预淀积后清洗:除去预淀积时的BSG和PSG。
9、CVD后清洗:除去CVD过程中的颗粒。
10、附件及工具的清洗:除去表面所有的沾污物


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U-III表面粒子计数器如何检测半导体晶圆的颗粒???

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如何理解非晶在dsc过程的变化
 
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上海钜晶精密仪器制造有限公司产品报价表(2020年)
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产品编号产品型号产品名称品牌出厂价格(元)主要参数炉膛尺寸(毫米)外形尺寸(毫米)重量(公斤)
额定功率(千瓦)额定电压(伏)Z高温度(℃)相数(长x宽x高)(长x宽x高)
A0625074SXL-1100M100*100*100mm微型箱式实验电炉上海钜晶6000122010502100*100*100300*320*42025
A0625075SXL-1200C300*200*120mm精密箱式实验电炉上海钜晶12000322012002300*200*120mm450*600*600mm60
A0625076SXL-1200C300*200*200mm上海钜晶13000422012002300*200*200mm470*600*700mm80
A0625077SXL-1200C400*300*300mm上海钜晶21000738012003400*300*300mm640*800*1050mm190
A0625078SXL-1200C500*400*400mm上海钜晶30000
38012003500*400*400mm

A0625079SXL-1400C300*250*250mm精密箱式实验电炉上海钜晶23000622013502300*250*250mm630*650*880mm140
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A0625081SXL-1400C500*400*400mm上海钜晶39000
38013503500*400*400mm

A0625082SKGL-1200C1200℃超值开启式管式炉上海钜晶1600042201200
60*1000

A0624019SKGL-1200M1200℃小型开启式管式炉上海钜晶1600052201200
60*600

A0624020SGL-1400C1400℃超值真空管式炉上海钜晶2400052201350
60*1000560*510*740mm
A0624021SGL-1700C1700℃超值管式炉上海钜晶2900053801650
60*1000660*580*910mm
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2020-02-25 11:41:08 443 0
上海钜晶精密仪器制造有限公司产品报价表(2021年)
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产品编号产品型号产品名称品牌出厂价格(元)主要参数炉膛尺寸(毫米)外形尺寸(毫米)重量?? (公斤)
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2021-03-24 09:45:44 289 0
Crystalgen科晶微量离心管/圆底试管/自立试管

Crystalgen科晶微量离心管/圆底试管/自立试管本生(天津)健康科技有限公司供应:移液器吸嘴,ELISA试剂盒,动物血清,全系荧光定量PCR耗材,产品包括:PCR单管、八联管、96孔板、384孔板。

离心管采用聚丙烯原料,管壁厚度均匀,管上均标有刻度,可直接读取浓缩液容量,更便于用吸管回收浓缩液,独特的密封盖防止液体渗漏,耐高温、高压,耐酸碱有机溶剂,可高速离心不破裂。现有0.2/0.5/1.5/5/7/10/15/50ml等多规格供客户选择。

Crystalgen(科晶)微量离心管/圆底试管/自立管

产品特点说明:

超透明,低吸附;

可单手操作,有效开关数千回无磨损;

强度好,22000G的离心力,可以当超速离心管使用;

能耐-180到120℃的极限温度;

极度光滑的内壁,无液体残留,由五XJ的模具生产而成;

管盖可“两步开关”,轻柔关闭和稳固闭合。轻柔关闭时,可在再次开启时,轻轻触碰盖子后部,即可自动开启,为再次加入溶液或者反应物带来极大方便,并且极大减少污染,并对使用者提供了进一步的保护。

23-20511.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌小包装
23-20521.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-2052LK1.50ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌,带锁扣
23-2052R1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源,灭菌,架装
23-2052A1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 深咖啡色,避光,灭菌
23-2052V1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 紫色,灭菌
23-2052Y1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 黄色,灭菌
23-2052B1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 蓝色,灭菌
23-2052O1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 橙色,灭菌
23-2052AS1.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源,  五色混装(红黄橙蓝紫),灭菌
23-20551.70ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源,  硅化,灭菌
23-11922.0 ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-11955.0  ml 微量离心管,圆底,按盖,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-22845.0  ml 微量离心管,尖底,螺旋盖,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-22855.0  ml 微量离心管,尖底,按盖,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-65520.65ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 白色,灭菌
23-6552A0.65ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 深咖啡色,避光,灭菌
23-6552B0.65ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 蓝色,灭菌
23-6522Y0.65ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 黄色,灭菌
23-6552AS0.65ml 微量离心管,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌, 五色混装

美国Crystalgen科晶圆底试管/自立试管

超透明,刻度JZ

S-2272P5.0ml自立试管,PP(聚丙烯),无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-326010ml 自立试管,PP(聚柄烯), 自立, 印刷标记区,无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-326130ml 自立试管,PP(聚丙烯),自立,无DNA酶/RNA酶无热源,灭菌
23-326250ml 自立试管,PP(聚丙烯), 自立,印刷标记区, 无DNA酶/RNA酶无热源, 灭菌
23-2589超速离心管 45ml PP(聚丙烯),相对离心力70,000g ,带帽, 灭菌
23-2590超速离心管 45ml PP(聚丙烯),相对离心力70,000g ,不带帽, 灭菌

Crystalgen科晶微量离心管/圆底试管/自立试管

23-2059S14ml 细胞培养管/离心管, PS(聚苯乙烯), 无DNA酶/RNA酶无热源,灭菌
23-205914ml 细胞培养管/离心管, PP(聚丙烯), 无DNA酶/RNA酶无热源,灭菌
23-2062加样槽/V型,5-50ml 独立包装, 灭菌
23-2063加样槽/V型,5-50ml,灭菌 

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8英寸晶圆上的40纳米的薄膜,有什么方式测量。不要破坏样品。方法越简单越好。... 8英寸晶圆上的40纳米的薄膜,有什么方式测量。不要破坏样品。 方法越简单越好。 展开
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