晶圆代工迎来新的黄金期

晶圆代工迎来新的黄金期

近期，以台积电为代表的几大晶圆代工厂备受关注，原因在于它们2020年diyi季度的财报。与各大IDM和Fablessdiyi和第二季度低迷的财报或财测不同，台积电、联电和中芯国际这三大晶圆代工厂的业绩十分亮眼，与当下疫情给半导体产业带来的负面影响形成了鲜明的对比。看来，晶圆代工（Foundry）这种商业模式确有其过人之处。

2019年10月，DIGITIMES Research预估 2019至2024年晶圆代工产值年复合增长率(CAGR)有望达到5.3%。而突如其来的疫情肯定会拉低这一预估，不过，台积电对外展现出了较为乐观的态度，该公司认为，2019至2024年，不含存储器的半导体业年复合增长率有望达到5%，而晶圆代工业的增长幅度将比整个半导体业要高一些。不过，受到疫情影响，2020年半导体业将呈现同比负增长，这已经成为行业普遍共识。而在这样低迷的经济环境下，台积电预计其全年的营收将实现同比增长15%左右，这是一个很亮眼的数字了。
晶圆代工业之所以能够逆势增长，首先是由其自身的商业模式决定的。
在半导体产业发展初期，是不存在IC设计和制造分工的，只有一种IDM模式，随着市场和产业发展，一些规模较小的厂商，因为财力有限，无法负担自有晶圆厂，因此，就会把设计的芯片交给实力较为雄厚的IDM制造，这是Z早的代工模型。然而，早期在ZL保护意识缺乏的情况下，将设计出来的芯片交给其他IDM制造，存在着较大的产品安全风险，即竞争对手很可能会掌握你的芯片信息。
这样，晶圆代工模式应运而生，1987年，台积电创建，开创了一个新的时代。自那以后，随着市场和产业发展，无晶圆厂的Fabless数量逐年增加，给晶圆代工厂带来了滚滚财源，也因此，更多的Foundry涌现出来，不过，与越来越多的Fabless数量相比，Foundry的数量还是相对有限的，直到今天依然如此。毕竟，由于重资产和高技术密集的特点，筹建一家Foundry的难度要远大于Fabless。
对于Foundry来说，由于长期专注于晶圆代工业务，且给自己的定位明确，并能持之以恒；另外，这种商业模式的多客户、多产品线、多制程特点，比IDM和Fabless更加厚重且多元，某种程度上，其抗风险能力更强。
除了自身特点之外，晶圆代工厂能够交出亮眼的业绩，且在未来几年内的年复合增长率大概率会高于全行业平均水平，还有多种市场因素，主要包括以下三点：终端设备的芯片元器件用量逐年提升；IDM芯片制造外包业务增加；设备和互联网厂商自研芯片增加。这三大增量市场内的芯片大都需要交给晶圆代工厂生产，因此，未来几年Foundry的业绩很值得期待。

近日如火如荼的ISO审计又要开始啦。兢兢业业审计每一个细节，严肃又稳妥，细致又缜密。

我们皓天全体员工积极配合ISO审计员，从工厂车间每一个环节都做了记录和考量，对销售的每一个环节也要资料齐全展现。

工作繁琐，但细致入微，期待我们皓天早日完成ISO二次审计工作。

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 1KJ[&jS ]
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ): r'IR
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： MW=rX>tE
1、顶层设计 k\ZU%"^J
2、仿真 Ppx4#j
3、热设计及功耗 B<~BX[
4、资源利用、速率与工艺 -&QpQ7q1
5、覆盖率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具体到测试有哪些需要关注： SW HiiF@
1、可测试性设计 W=,]#Z+M;
2、常规测试：晶圆级、芯片级 8Z 0@-8vi
3、可靠性测试 c{jTCkzq
4、故障与测试关系 K=dG-
+B~}
5、 W@~a#~1O
+V#dJ[,8;.
测试有效性保证； |Lc.XxBkc
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？  x![ut  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 cn'rBY

晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Nh6!h%
晶圆的工艺参数监测dice， Vj[,o Vt$
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Ul|htB<1:
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 `L.nj6F
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故障种类： :n oZ p:a
缺陷种类： 0|(6q=QK
针对性测试： fc%C!^7
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test YKa9]Q
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t;lK=m|
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； szy2"~hm
仿真与误差， {z8wFL\
n 预研阶段 Vc "+|^
n 顶层设计阶段 !Ee&e~"
n 模块设计阶段 e`%<D[-
n 模块实现阶段 Bv}nG|
n 子系统仿真阶段 oh >0}Gc8
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 r6}-EYq=
n 后端版面设计 LLwC*)#
n 测试矢量准备 <*djtO
n 后端仿真 mB*;> 
n 生产 eo4v[V&
n 硅片测试 N1'$;9 c
顶层设计： @Y+9")?
n 书写功能需求说明 _MUSXB'
n 顶层结构必备项 <7J\8JR&=
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 !Bb^M3iA  
n 完成顶层结构设计说明 -2y>X`1Y
n 确定关键的模块（尽早开始） ~6Hi"
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n 确定需要的第三方IP模块 W/
n 选择开发组成员 IsB=G-s
n 确定新的开发工具 6ieP` bct
n 确定开发流程/路线 >3y:cPTM5
n 讨论风险 GhY MO6Q4
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 AJ85[~(lX
n 国软检测 芯片失效分析ZX

 一．产品结构

6、彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置多工艺方式转换

8、全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。

    自动上料→去离子水+超声波清洗+振动筛抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料

U-III表面粒子计数器如何检测半导体晶圆的颗粒？？？

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