离子束刻蚀系统介绍和技术指标

离子束刻蚀系统为一种在物理学、工程与技术科学基础学科、电子与通信技术领域得到应用的工艺试验仪器，其启用于2005年10月1日。

离子束刻蚀系统介绍：

离子铣又叫做离子束刻蚀，为具有强方向性等离子体的一种物理刻蚀机理。小尺寸图形能够通过其使得各向异性刻蚀产生

一般通过电感耦合RF源或微波源产等离子体。快速运动的电子由热灯丝发射出。氩原子利用扩散筛往离子腔体内进入。电磁场对等离子体腔进行环绕。电子在磁场的作用下在圆形轨道上运动，电子与氩原子由于此种循环运动产生多次碰撞，从而使得大量的正氩离子产生，从格栅电极的等离子体源中引出正氩离子，并且利用一套校准的电极来使高密度束流形成。离子能量通过一个高压加速格栅被加到2500电子伏特

电子通过中和灯丝发射来复合氩原子来使硅片带上正离子电荷得以避免。离子束刻蚀机工作于1e-4托的低压氩气环境中。其的工作压力要比一般的高密度等离子体刻蚀的工作压力要低。对于刻蚀金、铂和铜等难刻蚀的材料使用离子束刻蚀。硅片能够倾斜来使不同的侧壁形状获得。其低选择比（一般比3:1低）与低产能的刻蚀速率为一个限制离子束刻蚀机在半导体工艺中广泛使用的主要问题。

离子束刻蚀系统技术指标

离子源、真空系统、反应室、气路系统、水冷系统五大部分共同组成离子刻蚀系统。

1．反应室尺寸：Ф325毫米

2．气路系统：2路进气（能够作清洗）；2个质量流量计，2路显示。

3．可加工片子尺寸：Ф150毫米以内。

4．均匀性：±5%

5.水温控制范围：5～25摄氏度。

6．离子源口径：Ф150毫米

7．有效离子束直径：Ф100毫米

8.离子束流密度：不低于1毫安/平方厘米

9.离子能量：150-1000电子伏特

10．真空系统：1500升/秒分子泵、11升/秒机械泵各1台。带真空计。