ICP等离子刻蚀系统应用

全自动ICP等离子刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

全自动ICP等离子刻蚀系统应用领域：

• LED

• MEMS

• 光栅

• 激光器

• 微光学

• 声光器件

• 高频器件/功率器件

• 量子器件

• 光子晶体

• 探测器等

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