八倍性能跃升！清华自缓冲层技术破局钛酸钡薄膜困境

在人工智能算力需求指数级增长的当下，光通信系统作为数据传输核心基础设施，对核心器件的调制效率、集成密度与稳定性提出了严苛要求。作为电光信号转换的核心枢纽，电光调制器的性能直接决定了光模块的传输速率与功耗水平。但目前主流的硅光、磷化铟、铌酸锂等技术路线，要么电光效应偏弱，要么集成难度大，始终没法兼顾低驱动电压和高集成密度两大核心需求，这也成了制约 800G/1.6T 光模块规模化落地的关键瓶颈。

正是在这样的行业背景下，清华大学材料学院李千副教授团队与电子工程系孙长征教授团队的跨学科合作，带来了一场从材料底层破局的技术革新 —— 凭借自缓冲层应变工程策略，一举攻克了钛酸钡薄膜外延生长的行业难题，为高性能电光调制器开发开辟了全新赛道。

钛酸钡（BTO）作为经典铁电材料，本征电光系数与光学透明性远超传统材料，一直被视作电光调制器的理想候选。但长期以来，它与低折射率 LaAlO₃-Sr₂TaAlO₆（LSAT）衬底的晶格失配问题，始终是绕不开的坎：直接外延生长不仅会导致薄膜缺陷率居高不下，更会让极化调控陷入困境，根本没法发挥钛酸钡的材料优势。

此次团队自缓冲层应变工程策略，堪称一场巧妙的 “微观结构调控术”。通过精准控制沉积工艺，在薄膜生长初期构建出具有周期性位错成核位点的自缓冲层，相当于给钛酸钡薄膜搭了个 “自适应缓冲台”，既实现了晶格常数的平滑过渡，消除了界面应力集中，更诱导上层薄膜形成独特的多相畴结构。四方相与正交相的耦合作用，如同给极化粒子开辟了 “旋转跑道”，直接将有效线性电光系数推至 253pm/V，这一数值是传统铌酸锂薄膜的 8 倍以上。更值得一提的是，薄膜居里温度从块体材料的 120°C 提升至 200°C，热稳定性与工艺兼容性的显著增强，为后续微纳加工扫清了关键障碍。

基于这款高性能薄膜开发的马赫 - 曾德尔干涉仪结构调制器原型芯片，更是交出了一份亮眼的性能答卷。在 C 波段 1550nm 波长下，SiN 加载条形波导设计实现 45% 光场集中于钛酸钡层，半波电压长度积仅为 0.7V・cm，不仅优于张江实验室 12 寸硅光平台调制器的 1.1V・cm，更是远超传统薄膜铌酸锂调制器 5-10V・cm 的行业水平；28GHz 的 6dB 电光带宽，搭配约 - 15dB 的电回损 S11，良好的阻抗匹配特性完全满足高速数据传输需求。

从行业应用维度看，这项技术精准踩中了当前光电子领域的两大核心诉求。一方面，它契合了数据中心 CPO（共封装光学）技术对器件小型化、低功耗的严苛要求 —— 按行业测算，该调制器可使光模块每比特能耗降低 30% 以上，完美适配 800G/1.6T 光模块的规模化部署需求。另一方面，200°C 的居里温度让其能轻松应对工业检测、激光雷达等领域的严苛工作环境，0.1dB/cm 的低光学损耗特性，更为长距离光传感系统提供了新的技术选择。

在行业战略上，这项技术打破了光电子器件对硅、铌酸锂等传统材料的路径依赖，为国产替代提供了非对称突破方案。当前我国 25G 以上高速光芯片国产化率不足 5%，核心技术与工艺长期受制于欧美日企业，而钛酸钡薄膜技术基于自主研发的应变工程策略，无需依赖进口衬底与核心工艺，有望推动高端光调制器产业链自主化，切实增强我国在全 球光通信核心器件领域的竞争力。

从实验室的纳米级自缓冲层，到未来的 6G 通信、量子信息处理前沿场景，这场始于材料底层的技术革新，正在重塑电光调制器的行业格局，为全 球数据传输与算力升级注入强劲的中国动力。