客户成就 | 赛默飞助力Sb(S, Se)薄膜光伏材料突破！深能级缺陷抑制与品质升级新方案

作为新兴光伏吸收层材料，Sb?(S, Se)?凭借其带隙可调（1.1–1.7 eV）、光吸收系数超高（>10? cm?1）、元素储量丰富且低毒性等核心优势，成为光伏领域的研究热点。然而，材料中深能级缺陷引发的载流子陷获与非辐射复合问题，长期制约着其光电转换效率的突破，亟需通过精准调控策略破解这一难题。

本研究围绕溶液法制备的Sb?(S, Se)?薄膜，创新性地采用“前驱体Sb/S原子比+后续硒化温度” 双参数协同优化策略，结合瞬态吸收谱(TAS)与X射线光电子能谱(XPS)等先进表征技术，系统揭示了配比与温度这两个参数对薄膜晶体质量与缺陷态的耦合影响，实现薄膜结晶质量提升与深陷阱缺陷的有效抑制。

在实验中，赛默飞Nexsa G2 X射线光电子能谱仪的高精度表征成为关键支撑。研究团队通过该设备对不同Sb/S原子比（2/2.55、2/3.55、2/4.55）的Sb?(S, Se)?薄膜样品进行表征分析，不仅精准验证了Sb³⁺、S^2-、Se^2-三种目标元素的化学态，更成功锁定了锑氧（Sb-O）杂质的分布规律——当Sb/S为2/3.55时锑氧杂质含量近乎为0，对应样品的锑氧诱导缺陷最少，有效抑制了深陷阱引发的非辐射复合，显著降低了薄膜缺陷密度。同时，设备清晰地捕捉到S2p与Se3p/3d峰位及强度的协同演化规律，为后续硒化温度的优化奠定了重要基础。

不同Sb/S比条件下的Sb 3d、S 2p/Se 3p与Se 3d高分辨XPS谱图

赛默飞纳米港的葛青亲博士和史南南应用专家在此次研究中提供了重要支持，其先进设备在科研中的应用再次得到了证明。Nexsa G2 X射线光电子能谱仪的高分辨率与稳定的表征性能，不仅为实验提供了可靠的核心数据支撑，更帮助团队建立起“化学态-微结构-缺陷态-光电性能”的完整关联链路，为双参数优化策略的科学性和有效性提供了直接佐证。赛默飞将始终以顶尖的仪器设备、专业的技术服务与深度的合作支持，赋能前沿科研探索。