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重大突破!江科大与中科院联合攻关介电储能材料

更新时间:2026-03-25 11:03:04 阅读量:243
导读:在先进电子设备向小型化、集成化迭代,新能源汽车、智能电网对储能性能提出更高要求的当下,介电储能技术的突破成为推动相关产业升级的关键。近日,江苏科技大学宋东坡副教授、张颖团队与中国科学院固体物理研究所杨

在先进电子设备向小型化、集成化迭代,新能源汽车、智能电网对储能性能提出更高要求的当下,介电储能技术的突破成为推动相关产业升级的关键。近日,江苏科技大学宋东坡副教授、张颖团队与中国科学院固体物理研究所杨兵兵研究员团队携手攻关,在介电储能材料领域取得重大突破,相关研究成果以“Dual-Phase In Situ Symbiosis Structures for Ultrahigh Capacitive Energy Storage”为题,发表于国际知名期刊《Energy & Environmental Materials》(简称EEM),为高端储能设备升级提供了全新技术路径。



介电电容器作为上述领域的核心储能组件,凭借高功率密度与高可靠性优势不可或缺,其储能性能直接决定相关设备的小型化、集成化水平,而储能密度主要取决于材料的极化强度与击穿场强。长期以来,“极化强度与击穿场强相互制约”的行业核心难题,不仅限制了介电电容器储能密度提升,也让介电储能技术发展滞后于电化学储能技术。


“传统优化方法难以同时兼顾高极化和高击穿场强,现有双相结构材料则需在高电场环境下才能实现较高储能密度,无法满足微型机电系统对低电场、高效率储能的需求。”宋东坡副教授介绍,这一行业痛点成为团队攻关的核心方向。


为破解瓶颈,研究团队依托两种特性互补的材料相开展创新设计:奥里维利斯相(铋基层状铁电体)具备高自发极化强度、优良抗疲劳性和高居里温度,是高性能介电材料的理想选择,却受限于低击穿场强和高滞后损耗;烧绿石相(类线性顺电体)拥有中等介电常数和高击穿场强,可精准弥补前者短板。“我们设想通过原位共生方式结合两者,实现性能协同优化。”杨兵兵研究员表示。


基于这一思路,团队以奥里维利斯相材料BaBi4Ti4O15(简称BBT)为基底,在其B位进行Hf掺杂,通过相分离技术原位构建出奥里维利斯相(高极化)与烧绿石相(高击穿场强)的双相原位共生结构,通过精准调控Hf掺杂浓度实现两相比例可控,最终在较低电场下实现超高储能密度与高储能效率的双重突破。


为验证设计科学性,团队采用相场模拟构建二维模型,系统模拟双相结构演化、铁电极化行为及击穿路径,为Hf掺杂浓度调控提供理论支撑;随后通过化学溶液沉积法制备BaBi4Ti4−xHfxO15系列薄膜,并借助多种专业仪器完成全面性能测试与表征。


测试结果显示,Hf掺杂浓度对薄膜结构与性能影响显著:当x=1.0时,薄膜实现两相稳定共存,Ba、Bi、Ti、Hf、O元素分布均匀无偏聚;微观形貌同步优化,晶粒尺寸减小、表面孔隙消除,均方根粗糙度从纯BBT薄膜的16.9 nm降至3.15 nm,降幅达81.4%。


电学性能方面的突破更为显著:x=1.0时,薄膜击穿场强达4.9 MV·cm-1(为纯BBT薄膜的2倍),Weibull模量从5.4提升至25.6,可靠性大幅提升;在此电场条件下,薄膜实现132.4 J·cm-3的超高储能密度和76%的储能效率,储能密度提升2倍以上,且在宽频率、宽温度范围及多次充放电循环中保持性能稳定,具备极强实际应用潜力。


据悉,宋东坡团队长期深耕铁性薄膜与光电薄膜制备及物性研究,杨兵兵团队聚焦电子功能材料及器件研发,双方跨单位合作实现优势互补,成功探索出解决介电材料核心矛盾的新路径。


业内人士指出,该研究提出的“双相原位共生结构”设计策略,丰富了高储能介电材料设计体系,为介电电容器性能升级提供全新技术方案。随着技术优化与产业化推进,其将推动先进电子、新能源等领域仪器设备向小型化、集成化、高可靠性升级,为我国新质生产力发展、高端装备制造业升级注入新动能。目前,团队正进一步优化掺杂工艺,推动成果早日落地应用。

标签:   电容器 仪器   材料

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