行业资讯 | DRAM 价格大幅上扬，NAND 市场有望反弹

受中东地区人工智能领域投资热潮与全球关税担忧情绪的双重推动，动态随机存取存储器（DRAM）价格大幅上扬，高带宽内存（HBM）需求持续旺盛，这一趋势预计将显著提振三星电子和 SK 海力士的盈利表现。一方面，主要客户为规避美国可能加征的关税，正积极开展 DRAM 囤货；另一方面，美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易，也为韩国这两家领先的内存芯片制造商注入了新的发展动能。

据业内人士 5 月 19 日消息，三星电子本月初将传统 DDR4 和新型 DDR5 DRAM 的价格均上调了两位数百分比。SK 海力士则将消费级 DRAM 价格上调约 12%。自美国芯片制造商美光公司上月通知客户计划涨价后，整体价格涨势进一步加速。

经历五个月的低迷后，DRAM 平均销售价格（ASP）于 4 月开始攀升。市场研究公司 DRAMeXchange 数据显示，标准 PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）固定合同价格环比上涨 22.2%，达 1.65 美元。

分析师指出，近期价格飙升主要归因于主要客户在美国关税政策生效前的集中囤货行为。美国企业为避免关税影响谨慎采购，而中国 “以旧换新” 补贴计划则提振了国内 PC 和智能手机制造商的需求。值得注意的是，长期供过于求的旧款 DRAM 芯片，当前价格涨幅超过了新款 DDR5 产品。

三星电子内存部门执行副总裁金在俊在 4 月 30 日的公司第一季度财报电话会议上表示：“全球关税担忧加剧，客户加快成品预产，导致零部件库存消耗速度快于预期。” 这一趋势为业绩与 DRAM 定价高度相关的三星提供了第二季度业绩反弹的潜在动力。

尽管半导体市场仍存不确定性，但高价值内存产品价格预计将持续上行。随着 DRAM 价格普遍上涨，HBM 价格也一路飙升。英伟达近期与沙特阿拉伯达成的合作协议，进一步引发市场对第二波 AI 内存热潮的预期。

5 月 13 日，英伟达宣布与沙特阿拉伯公共投资基金（PIF）支持的人工智能初创公司 Humain 签署协议，将建设一个 500 兆瓦的人工智能数据中心。未来五年，英伟达将提供约 1.8 万个配备其最新 Blackwell Ultra 芯片的 GB300 GPU。

业内消息人士透露，英伟达采购 SK 海力士 12 层 HBM3E 芯片的价格比 8 层芯片高出 60% 以上，这表明该公司迫切希望在今年上半年 Blackwell Ultra 加速上市前确保供应链稳定。

SK 海力士作为英伟达 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的供应商，预计其第二季度盈利将创历史纪录。韩华投资证券分析师金光镇表示：“SK 海力士今年 HBM 总出货量预计达 137 亿千兆位，其中英伟达占比超 70%。该公司在 HBM 市场的主导地位很可能延续至明年。”

5 大原厂同步减产，NAND 市场迎来反弹

全球五大 NAND Flash 原厂同步实施减产计划，叠加美中之间新关税政策的影响，促使买卖双方在 90 天宽限期内加速交易与出货，推动 2025 年第二季度存储器价格出现优于预期的反弹走势。

全球市占前五大 NAND Flash 制造商（三星、SK 海力士、美光、铠侠与西部数据）均于 2025 年上半年启动减产计划，减产幅度在 10% 至 15%，旨在调节市场供过于求的格局。原厂同步减产从供给端为存储器价格止跌回升提供支撑，同时中美贸易政策变数升温，促使行业加速在政策宽限期内完成交易，激发出短期备货潮。

在备货潮推动下，第二季度 DRAM 与 NAND Flash 合约价格涨幅显著超出此前预期。TrendForce 最新报告显示，存储器价格一季度呈下跌趋势，二季度已出现回升，2025 年上半年价格走势呈现 “先跌后涨” 特征。

具体来看，DRAM 合约价方面，一季度传统 DRAM 价格下跌 8%-13%，高频宽内存（HBM）仅小幅回落 0%-5%；二季度传统 DRAM 预估反弹 3%-8%，HBM 受 AI 与高性能计算（HPC）应用需求拉动，同步上涨 3%-8%。NAND Flash 合约价一季度跌幅达 15%-20%，为主要产品中最大跌幅；二季度预估回升 3%-8%，显示市场正逐步恢复供需平衡。

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