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Beneq Transform® 沉积系统
- 品牌:深圳科时达
- 型号: Transform®
- 产地:欧洲 芬兰
- 供应商报价:面议
- 深圳市科时达电子科技有限公司 更新时间:2024-09-14 06:18:53
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销售范围售全国
入驻年限第3年
营业执照已审核
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产品特点
- Beneq Transform® 凭借多功能性和灵活性,制造了全新的ALD集群工具设备。可适用于广泛的应用场景并满足不同的市场细分。
详细介绍
Beneq Transform® 凭借多功能性和灵活性,制造了全新的ALD集群工具设备。可适用于广泛的应用场景并满足不同的市场细分。Beneq Transform™配置多个ALD工艺模块,以满足特定的晶圆产能要求,也可为应对不断增长的产量或新的ALD应用而进行升级。
兼容热法和等离子体增强ALD工艺模块
单片、批量、热法及等离子体增强功能集成在同一平台上。适用于广泛的高性能氧化物和氮化物。 为客户提供了灵活、可靠、高产能的ALD解决方案。
Beneq Transform™凭借灵活的自动化平台,热法和等离子体增强的ALD工艺模块集成在一个系统中的独特能力,在工艺制备中可满足最苛刻的薄膜沉积要求,并提供无与伦比的灵活性。
专为晶圆厂设计
工业标准的水平晶圆装载可实现即插即用的无缝集成。配备独特的预热模块,可减少数小时的等待时间,并将产能提升到一个全新的水平 。
SEMI 认证
完全符合 SEMI S2/S8 和 SECS/GEM 标准。为客户提供定制化服务,确保在批量生产中顺利过渡到 ALD 工艺。
Beneq Transform™ 是适用于电力电子、MEMS 和传感器、RF、LED、光子学和先进封装应用的一站式 ALD 解决方案。
设备Transform®Transform® Lite最大配置3 ALD modules & 1 pre-heater2 ALD modules & 1 pre-heater预热YesYes传输模块Brooks Mx600SSBrooks Mx400冷却选项Built-inFacet-mountedVCE 装载21基底尺寸3", 4", 6" or 8"3", 4", 6" or 8"基底材料Si, GaN-on-Si, GaAs, InP, SiC, GaN, LNO, SapphireSi, GaN-on-Si, GaAs, InP, SiC, GaN, LNO, Sapphire最大配置尺寸3000 x 3000 x 2250 mm3000 x 1250 x 2250 mm