粗糙度轮廓仪

性能概述：

粗糙度轮廓仪是通过仪器的触针与被测表面的滑移进行接触的测量。能直接测量某些难以测量到的零件表面，如孔、槽等的表面轮廓曲线的形状，且测量速度快、结果可靠、操作方便同时可测量各种精密机械零件的素线形状，直线度、角度、凸度、对数曲线、槽深、槽宽等参数

型号：LZ-H200PI-D/LZ-H600P1-D/LZ-H400Pl-D

测量范围：X方向：100mm 粗糙度量程：20mm

轮廓度量程：20mm/轮廓度量程：40mm/轮廓度量程：60mm/

Z轴运行高度：400mm

最小测量内孔：25mm

线性精度：土(1.2+|0.15H|)μm

圆弧：土(1.5+R/12)μm

角度：土1’

直线度：0.5μm/100mm

光鹏分辨率：0.01μm

测量速度（轮廓）：0.02mm至4.0mm/s

爬坡角度：上升77度下降88度

粗糙度评定长度：入cX3、4、5、6、7

截止波长：0.025、0.08、0.25、0.8、2.5、8mm

选配：

CAD导入功能

MES传输功能

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几何量测系统可自动测量Wafer厚度、弯曲度、翘曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等参数。该系统可用于测量不同大小、不同材料、不同厚度晶圆的几何参数;晶圆材质如碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅、玻璃片等。它是以下测量技术的组合：

光谱共焦技术测量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等参数，同时生成Mapping图；

测量技术：对Wafer表面进行光学扫描同时建立表面3D层析图像，高效分析晶圆表面形貌、粗糙度、测量镭射槽深宽等形貌参数；

白光干涉光谱分析仪，可通过数值七点相移算法计算，以亚纳米分辨率测量晶圆表面的局部度，并实现膜厚测量功能；

红外传感器发出的探测光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），适用于测量外延片、键合晶圆几何参数。

CCD定位巡航功能，具备Mark定位，及图案晶圆避障功能。