PECVD（等离子体增强化学气相沉积）凭借其低温沉积、高均匀性、低温工艺、精准调控和多材料兼容，成为科研领域的核心技术之一。科研用途有：功率半导体与化合物半导体、功能薄膜与封装、光电器件与探测器、柔性光电子与新型材料、多材料体系兼容性、智能化工艺控制、可拉伸生物传感器、三维集成光子芯片、超表面光学器件等。其核心优势在于等离子体参数的精准调控支撑半导体技术前沿探索与器件创新
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高密度等离子体双射频协同控制，采用双13.56MHz射频电源控制等离子体密度的组合，可产生离子密度＞10¹¹cm³的等离子体，用于高深宽比结构的保形沉积。良好的均匀性和重复性，适合中小规模生产； 低温工艺纳米精度控制，沉积温度可低至50-350°，避免高温对敏感材料的损伤； 采用动态温控静电吸盘和气体预热技术，实现晶圆片内均匀性＜±8%，片间偏差小于±5%
通过不同气体组合，可以刻蚀多种材料（半导体、金属、介质等）； 高精度+各向异性，能刻蚀出侧壁陡直、尺寸精确的图形； 优秀的均匀性和重复性，适合科研材料刻蚀开发及中小规模生产； 多物理场协同调控，ICP通过独立控制离子能量、等离子体密度和化学活性反应，实现材料去除的精确建模； 干法工艺，避免湿法刻蚀带来的清洗、废液处理等问题
高精度和各向异性：能刻蚀出侧壁陡直、尺寸精确的图形； 良好的均匀性和重复性：适合大规模生产； 材料适用性广：通过不同气体组合，可以 刻蚀多种材料； 高选择比：可针对性的刻蚀特定材料而不损伤其他材料； 清洁：干法工艺，避免湿法刻蚀带来的清洗、废液处理问题
PLC+触摸屏操作快捷简单； 结构对称，功率损耗低，有效工作能量高； 空间利用率高，高密度、高能量等离子体活性粒子； 节能环保，良好的安全性、低耗能
适合科研实验室及小规模生产
设备采用PLC+触摸屏控制，操作简单易维护，适用于小规模生产，科学实验； 腔体采用进口铝合金材质，耐腐蚀，腔体可根据客户需求定制； 进口针阀精密流量计，两路气体反应通道； 独特电极结构，确保等离子均匀性； 良好安全性，多功能安全保护；
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