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TESCAN AMBER X 氙离子源双束聚焦扫描电子显微镜FIB-SEM

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TESCAN AMBER X 氙离子源双束聚焦扫描电子显微镜FIB-SEM 核心参数
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详细介绍

TESCAN AMBER X

等离子FIB和无漏磁超高分辨场发射扫描电镜的完美结合,无限扩展在材料表征领域的应用

TESCAN AMBER X 是结合了分析型等离子FIB和超高分辨(UHR)扫描电镜的综合分析平台,能够同时提供高效率、大面积样品刻蚀,多模态的样品表征,以及在无镓注入干扰状态下进行样品制备和改性。 TESCAN AMBER X 具备快速精确的等离子体FIB刻蚀和无漏磁超高分辨SEM成像的特性,使其成为多项研究的方案,例如快速制备出宽度可达1 毫米的截面; 高通量、多模态的FIB-SEM断层扫描,可快速获得三维重建图像和可视化数据; 元素化学和/或晶体取向研究; 无注入离子干扰状态下制备出微米和纳米结构,以便通过其它分析方法进行后续测试或表征等。 


主要特性

  • iFIB+ 氙等离子FIB镜筒

    • 最大离子束流可达1 μA, 可实现超高刻蚀速率

    • 分辨率 : < 15 nm

    • 无与伦比的超大视野:1 mm @ 30 keV

    • 快速精确的压电驱动光阑变换器

  • BrightBeam™ 超高分辨SEM镜筒技术

    • 无漏磁超高分辨SEM镜筒可以最大程度实现各类样品的分析和表征

    • 分辨率:1.5 nm @ 1kV

    • 优化的镜筒内探测器系统,进一步提高了探测能力

    • 光阑优化提升了分辨率,特别是在高束流下分辨率

  • 最新的 Essence™ 电镜软件和用户界面

    • 用户界面友好

    • 可定制化的布局


主要应用

  • 刻蚀和抛光大横截面
    在3.5小时内完成宽度达1 mm横截面的刻蚀, 然后使用TESCAN专有的摇摆样品台,以较小的离子束流抛光横截面,这样可以抑制”幕帘效应“(curtaining),同时还可以在刻蚀过程中原位监控横截面质量。

  • FIB-SEM断层扫描
    AMBER X 是多尺度、多模态微结构表征的最佳选择。这款等离子FIB支持快速地刻蚀和抛光样品。TESCAN用于静态3D EBSD数据采集的技术和嵌入式FIB-SEM层析成像模块,可以支持各种成像和分析探测器,增加了实用性,使断层扫描技术可以快速、精确且便捷地应用于各类材料的分析。

  • 无镓干扰状态下的样品制备
    传统镓离子 FIB加工时由于镓离子污染或注入可能导致的微观结构和/或机械性能改变。氙是一种惰性元素,所以可以实现对铝等材料进行无污染的样品制备和加工。



产品优势
iFIB+ 氙等离子FIB镜筒
最大离子束流可达1 μA, 可实现超高刻蚀速率
分辨率 : < 15 nm
无与伦比的超大视野:1 mm @ 30 keV
快速精确的压电驱动光阑变换器
BrightBeam™ 超高分辨SEM镜筒技术
无漏磁超高分辨SEM镜筒可以最大程度实现各类样品的分析和表征
分辨率:1.5 nm @ 1kV
优化的镜筒内探测器系统,进一步提高了探测能力
光阑优化提升了分辨率,特别是在高束流下分辨率
最新的 Essence™ 电镜软件和用户界面
用户界面友好
可定制化的布局
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