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三极管IV测试源表
品牌:武汉普赛斯
型号:S100
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mos管电性能测试数字源表
品牌:武汉普赛斯
型号:S系列
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iv测试仪+半导体分立器件IV扫描仪器
品牌:武汉普赛斯
型号:S300B
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宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体测试仪器
品牌:武汉普赛斯
型号:SPA6100
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8000V/6000A功率器件测试设备
品牌:武汉普赛斯
型号:PMST-8000V
- 产品品牌
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Agilent/安捷伦4155C半导体参数分析仪
- 品牌:安捷伦
- 型号: 4155C
- 产地:美国
Agilent/安捷伦4155C半导体参数分析仪 安捷伦4155C半导体参数分析仪是一款经济GX、适用于先进器件表征的实验室用台式解决方案。41501B Expander 可将仪器的测量范围扩展至 1A/200V,并为4155C添加低噪声接地单元和双脉冲发生器。
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便携式泽贝克系数测试仪(PTM)
- 品牌:武汉嘉仪通
- 型号: PTM
- 产地:武汉
可快速测试Seebeck系数,对样品无特殊要求,测量方法稳定可靠
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薄膜热电参数测试系统(MRS)
- 品牌:武汉嘉仪通
- 型号: MRS
- 产地:武汉
薄膜热电参数测试系统是专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量,测温范围达到81K~700K,采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,测量更准确。
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热电参数测试系统(Namicro)
- 品牌:武汉嘉仪通
- 型号: Namicro
- 产地:武汉
热电参数测试系统采用动态法(具有ZL技术)和四线法分别测量样品的Seebeck系数和电阻率。 热电参数测试系统主要是用于测试块体热电材料,包括康铜、镍、钨等金属,Te、Bi2Te3、ZrNiSn、ZnAgSb、NiMoSb、SnTe、FeNbSb、CuGaTe2、GeTe、Ag1-xCuS、Cu2ZnSnSe4等半导体及化合物,以及聚苯胺、PEDOT等高分子聚合物。
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功率循环测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENG1220 IGBT
- 产地:西安
ENG1220型IGBT功率循环测试设备的测试方法符合GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007及GB4023-83等相关标准。 IGBT功率循环测试设备,是IGBT测试的重要检测设备,该设备具有如下特点: 1.该测试系统是一套动态综合的测试系统,测试参数多,设备测试数据精度高。 2.该测试系统是一套大电流测试设备,设备的电气性能要求高。 3.该测试系统具有过流、过热、水压不足等保护功能。具有连续工作的特点。 4.该系统的测试程序由计算机控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 5.该测试系统采用内控和外控两种方式。便于工作人员操作。 6.该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。 7.该测试系统是IGBT模块成品可靠性检验测试中不可缺少的专用测试设备。
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微动摩擦磨损试验机
- 品牌:美国Rtec
- 型号: MFT5000
- 产地:美国
微动摩擦磨损试验机采用电磁激振方式实现台体的微动,并使用Lvdt原件进行微动的位移精度控制项目简述参数说明1、微动摩擦磨损试验机测试系统可用载荷范围:0.1N-5KN,可提供传感器组选项:0.5N-50N,1N-100N,2N-200N,10N-1000N,20N-2000N,50N-5000N金属、陶瓷材料和润滑油宏观力学性能测试可进行球块、销块微动实验,微动实验频率:1-100Hz,振幅:0.1-200μm多种施力模式:恒力模式、线性增量模式、动态加载模式等2、微动摩擦磨损试验机的加载形式通过伺服机械
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NTS品牌TCF系列非回转型扭力传感器
- 品牌:台湾NTS
- 型号: TCF-0.2Nm~5000Nm
- 产地:
非回转型扭力传感器型号:TCF系列特点◎用于非连续性旋转的扭力检出,对于静止或是慢慢旋转,广泛使用于气动起子、电动起子和汽车零件、机械手臂等的扭力试验。
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MPS-150 Series
- 品牌:美国AGS Plasma
- 型号: MPS-150 Series
- 产地:美国
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等离子刻蚀ICP
- 品牌:美国Trion
- 型号: Minilock-Phantom III ICP
- 产地:美国
Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供zuixianjin的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背
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触摸屏数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300
- 产地:武汉
触摸屏数字源表国产普赛斯仪表自主研发,对标美国2400,B2901;可实现“源”的输出和“表”的测量同步进行,提高测试效率;支持四象限工作,测量范围广,电压高至300V,电流低至100pA;支持USB存储,一键导出数据报告;5寸触摸显示屏图形化操作,内置强大的功能软件,加速用户完成测试;支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网
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SMU数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300
- 产地:武汉
普赛斯仪表SMU数字源表国产自主研发,性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发
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二手仪器租售修方案
- 品牌:上海波铭
- 型号: 二手仪器租·售·修
- 产地:浦东新区
我司能够为客户提供多型进口源表、半导体参数分析仪、网络分析仪、LCR表、阻抗分析仪的维修支持服务,为客户降低成本。射频微波电缆组件经销知名进口/国产品牌微波毫米波电缆组件,涵盖柔性/半柔性/半刚性/低损耗/稳幅稳相等精密电缆组件,使用频率范围涵盖0~110 GHz,提供客制服务,为用户提供高可靠性、高性价比的产品和测试方案。
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半导体参数分析仪
- 品牌:上海波铭
- 型号: Keysight B1500A系列、Keithley4200
- 产地:浦东新区
依靠与仪器设备厂商和设备集成经销商所保持良好的合作关系,我司可为用户提供是德科技(Keysight)、泰克(Tektronix)、概伦电子(PRIMARIUS)等知名公司的半导体参数分析仪和模块,系列型号有Keysight B1500A、Keithley 4200A-SCS、PRIMARIUS FS-Pro等,并为用户提供半导体参数分析仪与探针台集成测试方案和服务。
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精度0.03%数字源表直流3A
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300B
- 产地:武汉
普赛斯精度0.03%数字源表直流3A S300B型标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等;
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国产S系列数字源表替代2450
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S系列
- 产地:武汉
国产S系列数字源表替代2450认准普赛斯仪表,普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持
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脉冲电流源测试LD脉冲电流
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PL101/102
- 产地:武汉
脉冲电流源测试LD脉冲电流超窄至1us的脉宽,大到30A的脉冲电流,兼容CW和QCW模式,丰富的软件接口,可广泛用于LD脉冲电流、脉冲电压、PD光电流、背光二极管暗电流测试;
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功率器件静态测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3000V
- 产地:武汉
IGBT简介:IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。IGBT测试难点:1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。4、由于IGBT工作在强电流
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高精度数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
S型源表能否直接进行四探针测试?对线缆要求?可以的,使用其四线测量模式;四探针测试时一般是恒流测电压,而所加的电流一般在mA级,所以对线缆基本没有要求
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MOS管测试仪/设备/厂家
- 品牌:深圳华科智源
- 型号: HUSTEC-1600A-MT
- 产地:深圳
华科智源功率器件测试仪,测试二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数,并生产器件传输曲线和转移曲线,测试1600A,5000V以下的各种功率器件,广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。
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10us方波浪涌测试仪
- 品牌:深圳华科智源
- 型号: HUSTEC-IFSM-1200A
- 产地:深圳
华科智源-二极管浪涌电流测试仪,可测试二极管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌电流能力,可输出底宽10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,浪涌电流根据具体需求可选择800A,1200A,3000A以及定制8000A以上,最大电流可达50kA;
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分立器件测试仪
- 品牌:深圳华科智源
- 型号: HUSTEC-200-MT-P
- 产地:深圳
设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。
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CS-3100 二手回收IWATSU CS-5100 CS5200 CS5300 CS5400功率半
- 品牌:美国泰克
- 型号: CS-3200
- 产地:美国
CS-3100 二手回收IWATSU CS-5100 CS5200 CS5300 CS5400功率半导
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Agilent4156C/安捷伦4156C半导体参数分析仪
- 品牌:安捷伦
- 型号: 4156C
- 产地:美国
Agilent4156C/安捷伦4156C半导体参数分析仪 Agilent 4155C 半导体参数分析仪是用于高级器件表征的精确实验室台式解决方案。Agilent 41501B 扩展器将您的功能扩展到 1A/200V,并在 Agilent 4155C 上添加了一个低噪声接地单元和双脉冲发生器。
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泰克参数分析仪4200A-SCS
- 品牌:美国泰克
- 型号: 4200A-SCS
- 产地:美国
参数查看,快速清晰。准确的 C-V 表征,测量、 切换、 重复。稳定的低电流测量,适用于 I-V 检定,带分析探测器和低温控制器的集成解决方案,降低成本并保护您的投资
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半导体IV特性曲线测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
半导体IV特性曲线测试仪之数字源表认准武汉普赛斯仪表,普赛斯源表支持四象限工作,源和负载,电压及电流范围广,最小电流分辨率3pA,电流±30pA-±3A,电压±90uV-±300V,准确度为0.03%
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VCSEL器件LIV测试系统PL系列
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PL202
- 产地:武汉
VCSEL器件LIV测试系统PL系列超窄至1us的脉宽,大到30A的脉冲电流,兼容CW和QCW模式,丰富的软件接口,可广泛用于LD脉冲电流、脉冲电压、PD光电流、背光二极管暗电流测试;
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多仪器合一国产源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
多仪器合一国产源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
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三极管IV测试源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V,基于最高性价比考虑,其中一台使用S100即可,另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定,普赛斯仪表推出的功率器件静态测试仪可精准测量MOSFET、BJT、IGBT等的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点
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半导体参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-4000A
- 产地:武汉
半导体参数分析仪具有友好的上位机操作界面,被测参数以建立工程形式进行测量,用户可以配置工程中的相关参数。支持单独测试功率器件某一项静态参数及一键测试已建立工程的静态参数,可自动导出测试数据,提高测试效率。
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PD电性能测试用源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S系列
- 产地:武汉
光电二极管(Photo-Diode)是由一个PN结组成的半导体器件,具有单方向导电特性。光电二极管是在反向电压作用之下工作的,在一般照度的光线照射下,所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载,负载上就获得了电信号,而且这个电信号随着光的变化而相应变化。高精度源表IV扫描PD认准生产厂家武汉普赛斯仪表
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车规IGBT静态测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3000V
- 产地:武汉
车规IGBT静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
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数字源表选型图
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
数字源表选型认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯数字源表国产自主研发,性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发,
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1000A半导体IV曲线图示仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3000V
- 产地:武汉
1000A半导体IV曲线图示仪集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
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大功率IGBT静态参数测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3000V
- 产地:武汉
大功率IGBT静态参数测试仪集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
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整流二极管IV性能测试实验平台
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
整流二极管IV性能测试实验平台采用一体化设计,集成了数字源表、LCR电桥、万用表、示波器等通用仪表;贴合集成电路测试相关实验案例,支撑集成电路相关课程资源和理论教学;详情请咨询普赛斯仪表
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MOSFET器件开关特性测试平台
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
MOSFET器件开关特性测试平台以工程教育专业认证为引领参与高校专业建设,以信息化引领构建学习者为中心的教育生态,培养集成电路硬件测试人才。为学生提供丰富的教学资源以及贴近现实的产业环境,支撑集成电路相关课程的教学与实训
- 半导体参数测试仪
- 仪器网导购专场为您提供半导体参数测试仪功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选半导体参数测试仪的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。