离子束刻蚀系统 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-10 10:50:07离子束刻蚀系统: 离子束刻蚀系统是一种高精度的微观加工设备，利用聚焦的离子束对材料表面进行物理溅射，实现微纳尺度的刻蚀、沉积和改性。该系统广泛应用于半导体制造、材料科学、生物医学等领域，可进行精密图案加工、表面修饰及三维结构构建。其特点包括高分辨率、高刻蚀速率、良好的方向控制性和工艺灵活性，能够满足复杂微纳结构的制造需求。

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离子束刻蚀系统问答

2022-11-25 16:10:30离子束刻蚀（IBE）技术研究: 离子束刻蚀（IBE）技术研究 1.离子束刻蚀（IBE）技术的原理？离子束刻蚀（IBE，Ion Beam Etching）也称为离子铣（IBM，Ion Beam Milling），也有人称之为离子溅射刻蚀，是利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子，氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击，以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面轰击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理刻蚀。工件表面有制备沟槽的掩膜，最后裸露的部分就会被刻蚀掉，而掩膜部分则被保留，形成所需要的沟槽图形。离子束刻蚀使高方向性的中性离子束能够控制侧壁轮廓，优化纳米图案化过程中的径向均匀性和结构形貌。另外倾斜结构可以通过倾斜样品以改变离子束的撞击方向这一独特能力来实现。在离子束刻蚀过程中，通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。为了便于后面光刻胶的剥离清洗，一般需要对样品台进行冷却处理，使整个刻蚀过程中温度控制在一个比较好的范围。图1 离子束刻蚀设备结构图图2 离子束刻蚀工艺原理图 2.离子束刻蚀（IBE）适合的材料体系？可用于刻蚀加工各种金属（Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等）及其合金，以及非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、聚合物、陶瓷、红外和超导等材料。目前离子束刻蚀在非硅材料方面优势明显，在声表面波、薄膜压力传感器、红外传感器等方面具有广泛的用途。 3. 离子束刻蚀（IBE）技术的优点和缺点？a 优点：（1）方向性好、无钻蚀、陡直度高；（2）刻蚀速率可控性好，图形分辨率高，可达0.01um；（3）属于物理刻蚀，可以刻蚀各种材料（Si、SiO2、GaAs、Ag、Au、光刻胶等）；（4）刻蚀过程中可改变离子束入射角来控制图形轮廓，加工特殊的结构；b 缺点：（1）刻蚀速率慢、效率比ICP更低；（2）难以完成晶片的深刻蚀；（3）属于物理刻蚀，常常会有过刻的现象。 4.反应离子束刻蚀（RIBE）技术简介及优点？反应离子束刻蚀（RIBE）是在离子束刻蚀的基础上，增加了腐蚀性气体，因此它不但保留了离子束物理刻蚀能力，还增加了腐蚀性气体（氟基气体、O2）离化后对样品的化学反应能力（反应离子束刻蚀：RIBE），也支持腐蚀性气体非离化态的化学辅助刻蚀能力（化学辅助离子束刻蚀：CAIBE），对适用于化学辅助的材料可以大幅度提升刻蚀速率，提高刻蚀质量。 5. 离子束刻蚀（IBE）的案例展示典型应用：1、三族和四族光学零件2、激光光栅3、高深宽比的光子晶体刻蚀4、在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀5、微流体传感器电极6、测热式微流体传感器

2022-08-16 21:44:30福州大学离子束刻蚀机顺利验收: 福州大学离子束刻蚀机顺利验收烈日炎炎，热情满心间！后疫情时代，NANO-MASTER工程师步履不停，一站接一站为客户提供设备安装调试服务。首站福州大学，那诺-马斯特工程师已顺利安装验收NIE-3500型离子束刻蚀机！性能配置：离子束刻蚀机用于刻蚀金属和介质，z大可支持6”晶圆。配套美国考夫曼-罗宾逊 KDC160离子枪，650mA，100-1200V。刻蚀速率：~250A/min对Au；刻蚀均匀度：对4”片，片内均匀性优于±3%，重复性优于±3%。样品台可旋转，转速0-30RPM精确可控；可任意角度倾斜，支持斜齿刻蚀；带水冷功能，刻蚀后易去除光刻胶。极限真空12小时可达6x10-7Torr，15分钟可达10-6Torr量级的真空；采用双真空计，长期可靠，使用稳定。14”不锈钢立方腔体，配套一台主控计算机，20”触摸屏监控，配合Labview软件，实现计算机全自动工艺控制，并可在电源中断情况下安全恢复；完全的安全联锁；支持百级超净间使用。验收培训：安装调试视频：

2021-09-06 14:40:15吉时利皮安表6485/6487在离子束测量的应用: 离子束用于各种应用场合，诸如，质谱仪和离子注入机等。离子束电流通常非常小（mA）, 所以需要使用静电计或皮安表来进行测量。今天安泰测试为大家介绍如何使用吉时利皮安表6485 型和 6487 型皮安表来进行这种测量工作。在电流灵敏度更高时，可以改用静电计来进行测量。测量方法如果离子源偏离地电位，那么离子收集电极多半处在地电位。在这种情况下，可以使用简单的真空同轴接头来进行从收集电极到皮安计的连接。图 1 示出吉时利皮安计6485从离子收集电极测量电流的情况 , 这时仪器工作在地电位。然而，如果离子源处在地电位，那么离子收集电极必须偏离地电位。6485 型皮安计只能偏离地电位大约 42V, 所以必须使用能够浮地电位达 500V 的吉时利皮安计6487 型。图 2 是 6487 型皮安计浮地测量离子束的一个例子。皮安计的高端通过三同轴的真空接头连到离子收集电极。皮安计的低端由电压源偏离地电位。出于安全的考虑，当偏置电压大于 42V 时，应当使用三同轴的真空接头。6487 型皮安计能够浮地高达 500V。如果无法找到三同轴的真空接头，那么可以在绝缘的 BNC 连接处构建金属安全屏蔽（图 3）。将该金属安全屏蔽接地。。如果对地的浮地电压小于 42V, 那么绝缘的 BNC 接头就不需要安全屏蔽。图 1. 带接地 BNC 插座的离子收集极图 2. 带三同轴插座的离子收集电极图 3. 带 BNC 插座的离子收集极完成电路连接之后，接通偏置电压，在没有离子束电流的情况下进行电流测量，以验证系统能够正常工作。如果这时的电流比要测量的电流大得多，那么系统中一定存在着寄生泄漏通路，必须将其纠正。我们常常需要把离子束电流与时间的函数关系画成曲线。此项工作可以使用皮安计的模拟输出功能来完成或者使用 IEEE-488 总线或 RS-232 接口来采集读数，再用绘图编程软件包（例如 ExceLINX）或图表软件将其画成曲线。吉时利皮安表Keithley 6400 系列提供经济实惠且专业的低电流测量解决方案，可测量元器件中的超低漏电流、光学器件中的暗电流以及显微仪器中的射束电流，备受研发型企业和高校的青睐，安泰测试作为泰克吉时利的长期合作伙伴，和厂家一起为用户提供全面的测试方案，如果您想了解吉时利皮安表更多应用，欢迎访问安泰测试网。

2021-09-02 15:19:22如何使用吉时利皮安表6485/6487进行离子束测量: 离子束用于各种应用场合，诸如，质谱仪和离子注入机等。离子束电流通常非常小（mA）, 所以需要使用静电计或皮安表来进行测量。今天安泰测试为大家介绍如何使用吉时利皮安表6485 型和 6487 型皮安表来进行这种测量工作。在电流灵敏度更高时，可以改用静电计来进行测量。测量方法如果离子源偏离地电位，那么离子收集电极多半处在地电位。在这种情况下，可以使用简单的真空同轴接头来进行从收集电极到皮安计的连接。图 1 示出吉时利皮安计6485从离子收集电极测量电流的情况 , 这时仪器工作在地电位。然而，如果离子源处在地电位，那么离子收集电极必须偏离地电位。6485 型皮安计只能偏离地电位大约 42V, 所以必须使用能够浮地电位达 500V 的吉时利皮安计6487 型。图 2 是 6487 型皮安计浮地测量离子束的一个例子。皮安计的高端通过三同轴的真空接头连到离子收集电极。皮安计的低端由电压源偏离地电位。出于安全的考虑，当偏置电压大于 42V 时，应当使用三同轴的真空接头。6487 型皮安计能够浮地高达 500V。如果无法找到三同轴的真空接头，那么可以在绝缘的 BNC 连接处构建金属安全屏蔽（图 3）。将该金属安全屏蔽接地。。如果对地的浮地电压小于 42V, 那么绝缘的 BNC 接头就不需要安全屏蔽。图 1. 带接地 BNC 插座的离子收集极图 2. 带三同轴插座的离子收集电极图 3. 带 BNC 插座的离子收集极完成电路连接之后，接通偏置电压，在没有离子束电流的情况下进行电流测量，以验证系统能够正常工作。如果这时的电流比要测量的电流大得多，那么系统中一定存在着寄生泄漏通路，必须将其纠正。我们常常需要把离子束电流与时间的函数关系画成曲线。此项工作可以使用皮安计的模拟输出功能来完成或者使用 IEEE-488 总线或 RS-232 接口来采集读数，再用绘图编程软件包（例如 ExceLINX）或图表软件将其画成曲线。吉时利皮安表Keithley 6400 系列提供经济实惠且专业的低电流测量解决方案，可测量元器件中的超低漏电流、光学器件中的暗电流以及显微仪器中的射束电流，备受研发型企业和高校的，安泰测试作为泰克吉时利的长期合作伙伴，和厂家一起为用户提供全面的测试方案，如果您想了解吉时利皮安表更多应用，欢迎访问安泰测试网。

2020-10-15 14:42:21KRI离子源 RFICP 380 辅助离子束溅射镀SiO_2: 二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造商为了获得高品质的 SiO_2薄膜引进伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜. 该制造商的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台、真空气路系统以及控制系统等部分组成. 离子源溅射离子源采用进口的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380, 其参数如下:伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：射频离子源型号RFICP 380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 推荐理由：1. 聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率2. 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染其真空气路系统真空系统需要沉积前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 经推荐采用伯东泵组 Hicube 80 Pro, 其技术参数如下：分子泵组 Hicube 80 Pro 技术参数:进气法兰氮气抽速 N2,l/s极限真空 hpa前级泵型号前级泵抽速 m³/h前级真空安全阀DN 40 ISO-KF35< 1X10-7Pascal 202118AVC 025 MA 运行结果：SiO_2薄膜沉积速率比以前更加快速薄膜均匀性明显提高成膜质量高、膜层致密、缺陷少伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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