突破1μm极限！泽攸科技DMD无掩膜光刻机助力纳米级电极制备新突破​

在微纳加工领域，1μm及以下线宽电极的制备一直是科研工作者面临的重大挑战。传统光刻技术受限于匀胶工艺、光学衍射极限等因素，难以实现高精度图形化。今天，我们将揭秘如何利用泽攸科技DMD无掩膜光刻机突破这一技术瓶颈！

三大关键技术突破

1.精密匀胶控制

•采用AR-P-5350光刻胶，严格控制胶层厚度在1μm

•"低速-高速"两步旋涂法，确保胶膜均匀性

•控制前烘温度和时间，提升胶膜附着力

2.智能曝光系统

•通过QCAD/Klayout软件实现图形原位设计

•智能剂量优化算法自动匹配佳曝光参数

•高精度对位系统确保图形转移精度

3.创新显影工艺

•专用显影液配方实现高分辨率图形显影

•去离子水定影技术减少图形缺陷

•准剥离工艺保证电极完整性

泽攸科技DMD无掩膜光刻机核心优势

•采用高分辨率投影物镜，突破光学衍射极限

•数字微镜器件(DMD)实现快速图形切换

•智能曝光控制系统确保工艺稳定性

•支持1μm及以下线宽图形制备

•操作简便，大幅提升科研效率

应用案例

该技术已成功应用于：

•二维材料器件电极制备

•纳米电子器件研发

•微纳传感器制造

•量子器件研究

技术展望

随着微纳加工技术的不断发展，泽攸科技将持续优化无掩膜光刻技术，为科研工作者提供更高效、更精准的微纳加工解决方案。