KLA 三维光学轮廓仪Zeta-20参数

KLA Zeta-20是微纳尺度表面三维形貌表征的核心仪器，集成白光干涉（WSI）+ 相移干涉（PSI）双测量模式，兼顾光滑表面亚纳米分辨率与粗糙表面宽量程需求，广泛覆盖半导体、MEMS、材料科学等领域。本文聚焦其关键参数与应用，为实验室及工业检测从业者提供精准参考。

一、核心技术特点

1. 双模式互补测量：
   • PSI模式针对<100nm粗糙度的光滑表面（如抛光晶圆），实现亚纳米级垂直分辨率；
   • WSI模式覆盖>100nm至10mm的粗糙表面（如MEMS微结构），无需样品倾斜即可测量深沟槽；
2. 自动化集成：电动样品台（100×100mm行程）+ 自动物镜切换，支持批量样品快速测量；
3. 宽样品兼容性：适配透明/半透明样品（如SiO₂薄膜）、非导电样品（如聚合物），无需预处理；
4. 标准合规性：符合ISO 25178表面粗糙度标准，测量结果可跨实验室比对。

二、关键性能参数清单

三、典型行业应用场景

• 半导体制造：
  晶圆抛光面Ra<0.1nm测量、SiO₂薄膜厚度（10nm~10μm）表征、DRAM电容孔深度/侧壁角度检测；
• MEMS加工：
  微齿轮三维轮廓、加速度计悬臂梁平整度（<0.5μm）、刻蚀深度（<1μm~100μm）测量；
• 材料科学：
  金刚石涂层Ra~0.5μm粗糙度、量子点高度分布（<10nm）表征；
• 光学元件：
  透镜微缺陷（划痕/坑洞）尺寸、衍射光栅周期（<1μm~100μm）测量；
• 电子检测：
  PCB铜箔Ra~1-3μm粗糙度、芯片引脚平面度（<0.5μm）检测。

Zeta-20通过双模式互补与高参数性能，解决了微纳表征“宽量程-高分辨率”的矛盾，是实验室研发与工业在线检测的核心工具，参数直接对接半导体、MEMS等领域质量控制流程。