RTP(Rapid Thermal Processing)是所有快速热处理的统称!但不限于:RTA(快速热退火)、RTO(快速热氧化)、RTN(快速热氮化)、合金化... ...
RTP与RTA、RTO、RTN之间的联系
RTP设备通过精确控制温度-时间曲线,实现对材料结构、界面特性或杂质分布的调控。我们嘉仪通常说的RTP快速退火炉,就是根据需要,通过软件控制设置,可实现多种工艺模式。如RTA工艺,通过快速升降温,在极短时间内(几秒至几十秒)完成特定退火目的。又或者在O2、N2等气体氛围下,通过多阶段升降温以及长时间恒温,实现RTO、RTN等热处理工艺。
RTP与RTA对比
对比项 | RTP | RTA |
应用场景 | 涵盖广泛的热处理工艺: | 主要用于退火 |
温度曲线 | 温度曲线更灵活 | 典型的“尖峰”曲线 |
工艺目的 | 强调材料改性或薄膜形成 | 强调杂质激活和晶格修复,最小化扩散 |
典型工艺 | 几秒至几分钟(如氧化工艺要1-5分钟) | 几秒至几十秒(如1050℃保持10秒) |
RTP与RTA案例对比
案例对比 | RTP | RTA |
应用场景 | FinFET工艺 | CMOS制造工艺 |
工艺参数 | O?气氛 | 升温速率100℃/秒 |
工艺目的 | 精确控制氧化层厚度 | 使B原子替代Si晶格位置 |
RTP和RTA怎么选
RTP(快速热处理):若需求涉及材料表面改性、薄膜生长或复杂化学反应(如高k介质沉积前的表面预处理)。例如:RTP 用于高k /金属栅堆叠中的界面处理,两者协同确保器件性能。
RTA(快速热退火):若需求为快速激活杂质或修复晶格,且需严格控制扩散(如先进制程中的浅结)。例如:在 7nm 以下工艺中,RTA 用于 EUV 光刻后的掺杂激活。
总结
RTA(快速热退火)和 RTP(快速热处理)是半导体制造中常用的热处理工艺技术,两者核心原理相同,但在应用场景、温度曲线、工艺目的上存在差异。
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