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魔技纳米智能型无掩膜光刻设备UV-Smart参数

来源:魔技纳米科技有限公司 更新时间:2025-12-10 08:45:23 阅读量:44
导读:该系列以数字化对位、稳定的光源控制以及低热效应著称,支持无掩膜直接在自涂层基底上实现微结构曝光,适配多种光刻工艺与工艺参数曲线。以下内容聚焦三款主推型号的参数、特点与典型应用,供实验室、科研单位及行业用户在选型与工艺验证时参考。

魔技纳米新推出的无掩膜光刻设备UV-Smart系列,面向实验室微纳加工、材料科学与工业生产线。该系列以数字化对位、稳定的光源控制以及低热效应著称,支持无掩膜直接在自涂层基底上实现微结构曝光,适配多种光刻工艺与工艺参数曲线。以下内容聚焦三款主推型号的参数、特点与典型应用,供实验室、科研单位及行业用户在选型与工艺验证时参考。


UV-Smart 系列三大型号及参数


  • UV-Smart-NS365 波长:365 nm;曝光强度范围0.2–1.8 mW/cm2;有效曝光面积60×60 mm;最小线宽约0.6 μm;对位重复性≤1.0 μm;工作台尺寸约420×480×450 mm;重量约38 kg;供电110–240 VAC,50/60 Hz;支持正胶和负胶光刻,内置对位软件,光路经过低热设计,适合薄膜和微结构的快速验证。
  • UV-Smart-NS405 波长:405 nm;曝光强度范围0.3–3.0 mW/cm2;有效曝光面积80×80 mm;最小线宽约0.4 μm;对位重复性≤0.8 μm;工作台尺寸约480×520×480 mm;重量约44 kg;供电110–240 VAC;双波段切换快速,具备自动对准与全局曝光均匀性补偿,适用于高分辨率微光刻与薄膜结构。
  • UV-Smart-NS365-405(双波长,灵活切换) 波长:365/405 nm;365 nm通道0.2–2.5 mW/cm2,405 nm通道0.3–3.0 mW/cm2;有效曝光面积100×100 mm;最小线宽约0.25 μm;对位重复性≤0.7 μm;工作台约600×600×520 mm;重量约68 kg;供电100–240 VAC;支持两通道独立控制、统一对位标定与快速切换模式,适用于复杂微结构、双层对位和多层叠层工艺。

关键特性与创新点


  • 无掩膜直接曝光,软件驱动的矢量对位与场景自适应校正,显著简化工艺路径与减少制程时间。
  • 三款车型覆盖单波长和双波长两类需求,双波段型号可实现多层叠层对位以及不同 resist 的分步曝光。
  • 对位精度与曝光均匀性均在微米级别,适合高密度微结构设计,能够在中等产线规模内实现重复性生产。
  • 光路设计重视热管理与振动抑制,配套的工艺软件支持参数化工艺曲线、对比分析与批量化参数记录,便于工艺溯源。
  • 兼容主流正、负型光刻胶体系,配套的涂覆/显影窗口与抗反射设计,提升薄膜粘附与线宽稳定性。

典型应用场景


  • 微纳传感器、MEMS 结构的快速原型与小批量生产,尤其是在限量涂层厚度、批量一致性要求较高的场景。
  • 微流控芯片、二维材料表面的图形化处理,需要高分辨率和多波长配合的工艺路线。
  • 电子封装、柔性基板上的微结构制造,以及需要快速迭代的工艺开发阶段。

选型与工艺要点


  • 若优先追求最小线宽与高对位精度,建议考虑NS405或NS365-405双波长型号;双波段在多层结构中具备更强的灵活性。
  • 若工艺目标是低成本快速验证、且图形尺度受限于60×60 mm,可选NS365型号,便于缩短试制周期。
  • 需要大面积曝光或更高对位公差的场景,NS365-405的100×100 mm工作区与更高对位精度更具优势。
  • 软件与接口方面,三款机型均提供以太网、USB、以及与常用粒度级过程管理软件的对接接口,方便与现有数据管理系统对接。

场景化FAQ 问:UV-Smart 系列适合哪些材质与涂层?答:可兼容大多数正胶、负胶光刻胶,如PMMA、SU-8及常用热化学胶,厚度从几百纳米到几十微米范围内均可实现稳定曝光与显影;对高反射底材需加装抗反射层与光路校准,以提升边缘轮廓一致性。 问:如何选择波长与线宽?答:若目标结构特征在0.4 μm以上且对位要求较高,优先选405 nm型号NS405或NS365-405;若工艺对波长敏感性较低且关注设备紧凑性,365 nm型号NS365即可满足中等线宽需求。双波长型号在多层结构或需要不同 resist 的工艺中具有明显优势。 问:对位精度的稳定性取决于哪些因素?答:核心来自光路稳定性、样品台重复性、对位算法与标定 tolerances,以及环境温湿度对光敏涂层的影响。日常维护应包括定期对焦校准、光路清洁、以及对位标定表的版本控制。 问:能否与现有涂覆、显影设备进行联动?答:可以。UV-Smart 提供标准化接口与日志系统,支持数据导出、工艺曲线的版本管理,以及与常用涂覆、显影参数的对比分析。若需更深度的集成,可通过定制化脚本接口实现批量化参数传输与结果回传。 问:在产线场景下的能耗与维护成本如何?答:单机功耗通常在100–350 W量级,热管理设计关注长时间工作稳定性;维护方面,核心部件集中在光源、对位模块与光路清洁,厂家提供年度维护包与快速替换方案,整体运维成本低于传统掩模曝光设备的周期性消耗。 问:安全与合规有哪些要求?答:设备包含对紫外光照射的安全防护,具备紧急停止、光路门禁、软硬件防护联动等安全特性。操作遵循相应的实验室安全规范即可,厂方提供使用培训与指引文档。


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