在半导体先进制程与前沿材料研究中,当膜层厚度跨入亚纳米(<1nm)级别,光强的微小变化已不足以支撑精准计量。此时,测量光的“相位”变化成为了解开微观奥秘的唯一钥匙。
今天,我们走进薄膜表征的“金标准”:椭偏仪(Ellipsometry)。
如果说反射式膜厚仪是在看光的“亮度”,那么椭偏仪就是在看光的“姿态”。
在 3nm、5nm 的半导体工艺中,每一层原子的位置都至关重要。
在 GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅) 等宽禁带半导体的制备中,异质结界面的质量直接影响器件耐压。椭偏仪能够深入剖析界面层的厚度与能带结构。
针对 石墨烯 (Graphene) 或通过原子层沉积(ALD)产生的超薄高k电介质,椭偏仪是表征其物理参数的绝对首选。
当薄膜堆叠超过 5 层甚至 10 层时,光线在层间产生的多次干涉极其复杂。椭偏仪结合强大的物理模型,能够像“剥洋葱”一样,清晰地解算出每一层薄膜的真实参数。
针对科研与高精尖工业需求,悉识科技(Acuitik) 打造了 Primo 系列 高精度椭偏仪:
在薄膜表征的无尽探索中,椭偏仪不仅是测量厚度的工具,更是理解材料物理属性的桥梁。
精准、全面、极致。
如果您正在处理先进制程中的超薄膜挑战,或者需要对新材料进行深度 分析,欢迎联系悉识科技。我们的 Primo 系列 椭偏仪,将助您突破测量极限。
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