市场上有哪些封装技术可供选择？

市面上有许多IC封装技术类型。细分封装市场的一种方法是通过互连类型，其中包括引线键合，倒装芯片，晶圆级封装（WLP）和直通硅通孔（TSV）技术。互连技术用于将一个裸片连接到封装中的另一个裸片。TSV的I / O数量最高，其次是WLP，倒装芯片和引线键合。混合连接（互连技术的新成员）比TSV具有更高的密度。

根据TechSearch的数据，当今的封装技术中约有75％至80％是基于引线键合的。引线键合机使用细线将一个芯片缝接到另一个芯片或基板上。引线键合用于商品封装和存储器裸片堆叠。在倒装芯片中，使用各种工艺步骤，在芯片顶部形成大量较大的焊料凸块或微小的铜凸块和支柱。然后将器件翻转并安装在单独的芯片或板上。凸块落在铜焊盘上，形成电连接。使用称为晶圆键合机的系统键合管芯。同时，WLP在晶片上封装管芯。扇出是一种WLP类型。（晶圆级封装）使我们能够进行更小的二维连接，从而将硅芯片的输出重新分配到更大的面积，从而为现代设备实现更高的I / O密度，更高的带宽和更高的性能。同时，TSV用于高端2.5D / 3D封装。在2.5D中，管芯堆叠在内插器上，内插器包含TSV。中介层充当芯片和电路板之间的桥梁，可提供更多的I / O和带宽。

有2.5D和3D软件包的不同版本。一种高带宽内存（HBM）是一种3D封装技术类型，该高带宽内存将DRAM裸片彼此堆叠。逻辑上的堆叠逻辑或存储器上的逻辑正在兴起。“逻辑堆栈上的逻辑仍然不广泛。内存逻辑正在酝酿之中。

在封装中，最新的流行词是小芯片。小芯片本身不是封装类型。对于小芯片，芯片制造商可以在库中具有模块化芯片或小芯片的菜单。客户可以混合搭配小芯片，并使用封装中的芯片到芯片互连方案将它们连接起来。

小芯片可以驻留在现有的封装技术类型或新的体系结构中。UMC业务开发副总裁表示：“这是一种体系结构方法论。它正在针对所需任务优化硅解决方案。所有这些都有性能方面的考虑，无论是速度，热量还是功率。它还有一个成本因素，这取决于您采用哪种方法。”

对于当今最先近的2.5D和3D封装技术，供应商使用现有的互连方案和晶圆键合机。在这些封装技术中，管芯使用铜微凸块和立柱堆叠并连接。凸块和支柱基于焊料材料，可在不同设备之间提供小型，快速的电气连接。最先近的微型凸块/支柱是间距为40μm至36μm的微小结构。间距是指给定的空间。40μm的间距包括25μm的铜柱，间距为15μm。

对于小间距要求，工业上使用热压粘合（TCB）。TCB键合机拿起一个管芯，并将凸块与另一个管芯上的凸块对齐。它利用力和热将凸块结合在一起。但是，TCB是一个缓慢的过程。最重要的是，铜凸块/支柱正接近其物理极限。一些人认为极限在20μm左右。有些人试图扩大凸点间距。Imec正在开发一种使用当今的TCB实现10μm凸点间距的技术。7μm和5μm正在研发中。当前的40μm凸点间距具有足够的焊料材料，以补偿流量的变化。当缩小到10μm或更小的间距时，情况不再如此。在细间距的微型凸点上，电产量和良好的接头形成在很大程度上取决于TCB工具的精度，未对准和倾斜以及焊料变形的程度。

为了扩大微凸点，Imec开发了一种金属垫片工艺。和以前一样，微凸块仍会在模具上形成。在Imec的工艺中，假金属微凸块也形成在模具上。虚拟的凹凸类似于支撑该结构的微小光束。“将虚拟金属垫片微型凸块引入3D晶片对晶片的堆叠中，以减轻TCB工具的倾斜误差并控制焊料变形，从而使接合的不同位置处的电阻和接合处的接合。