拒绝胶层曝光报废！AcuiTik NS-20 如何搞定“光刻胶”无损测量？

在半导体制造的光刻工艺中，胶厚测量一直是让工程师头疼的环节。 传统强光照射容易导致胶层曝光变性，影响后续显影；而接触式测量又容易引入颗粒污染。如果是功率器件中常见的超厚光刻胶，密集的干涉条纹更是让普通设备束手无策。

悉识科技（AcuiTik） 正式发布 NS-20 光刻胶无损测厚仪，专为解决光刻工艺痛点而生，守护每一次精准测量。

01. 专为光刻工艺打造：安全·无损NS-20 是一款专用的非接触式薄膜测量设备。它最大的亮点在于“安全”：

• 非曝光波段光源： 物理层面剔除了紫外等敏感波段，只保留对光刻胶安全的波段。无论测量多久，都不会导致胶层感光变性。 

• 原位无损检测： 无需破坏样品，实时监控工艺，杜绝了接触式测量带来的污染隐患。 

• 宽量程全域覆盖： 从纳米级薄膜到毫米级厚胶，一台设备即可全部兼容。 

  
  

02. 为什么你需要专用设备？通用型测量设备在面对光刻胶时，往往存在诸多局限： 

• 样品损伤： 强光照射致使胶层局部曝光，这片晶圆可能因此报废。 

• 测量误差： 复杂基底与多层结构产生的干涉信号难以解析。 

• 效率低下： 手动对焦耗时费力，且人为操作的一致性差。 

NS-20 提供的解决方案是：物理剔除敏感波段 + 高信噪比采集。配合低噪声光路与高灵敏探测器，即使是极微弱的信号也能被精准捕捉。 

03. 极限挑战：30μm 超厚光刻胶解析在功率器件与MEMS制造中，常需旋涂 30μm 级别的超厚光刻胶。厚度越大，干涉条纹越密集，解析难度呈指数级上升。 

NS-20 实测表现：

• 测量波段： 550 - 1050 nm（避开感光区）。 

• 实测厚度：30 μm，与标称值高度吻合。 

• 极致精度： 拟合优度 (GOF) > 0.999，重复性精度达 0.005 μm。 

从图中密集的红色拟合曲线可以看出，我们的 PolarX 智能算法 完美还原了原始数据，展现了极高的置信度。 

04. 核心优势与服务

• 极致性能：15nm - 1.5mm 超宽量程，重复性精度 < 0.02 nm。 

• 智能算法： 搭载 PolarX 核心引擎，支持厚度 (d) 与光学常数 (n, k) 一键全自动同步解析。 

• 灵活定制： 可选配 0.2mm 微小光斑，支持全自动/在线式集成 (In-line)，且兼容 SECS/GEM 行业标准协议。 

AcuiTik 悉识科技重新定义半导体工艺量测，做您值得信赖的合作伙伴。

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