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离子蚀刻机20IBE-J用于陶瓷板Pt,Au,Cr 薄膜刻蚀
发布:伯东企业(上海)有限公司浏览次数:119深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
Φ4 inch X 12片
基片尺寸
Φ4 inch X 12片
Φ5 inch X 10片
Φ6 inch X 8片
均匀性
±5%
硅片刻蚀率
20 nm/min
样品台
直接冷却,水冷
离子源
Φ20cm 考夫曼离子源
v:shapes="_x0000_i1026">
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
离子源型号
RFICP 220
Discharge
RFICP 射频
离子束流
>800 mA
离子动能
100-1200 V
栅极直径
20 cm Φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
10-40 sccm
通气
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力
< 0.5m Torr
中和器
LFN 2000
推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 ±5%, 满足客户要求
3. 工作台冷却方式: 直接水冷
4. 样品装载数: 18片/批(2″)或4片/批(4″)
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
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2021-08-31相关仪器 -
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