伯东离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄

某陶瓷基片制造商采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

推荐  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  理由:

1. 客户要求规模化生产,  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用

2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求

3. 硅片刻蚀率 20 nm/min

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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