磁控溅射仪种类

磁控溅射仪为一种用于物理学领域的分析仪器，于2015年05月25日启用。

磁控溅射仪种类

磁控溅射仪靶源包括平衡式靶源以及非平衡式靶源。衡式靶源能够均匀地镀膜，非平衡式靶源镀膜膜层和基体有着非常强的结合力。半导体光学膜大多采用平衡靶源，磨损装饰膜大多采用非平衡靶源。磁控阴极根据磁场位形分布差异，大体上包括平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。

非平衡磁控溅射

非平衡磁控溅射技术，也就是使磁控阴极外磁极磁通比内磁极要大，在靶面两极磁力线不完全闭合，部分磁力线能够沿靶的边缘往基片区域延伸，从而部分电子能够沿着磁力线往基片扩展，对基片区域的等离子体密度和气体电离率进行增加。无论是平衡也好还是非平衡也罢，如果磁铁静止，通过靶材利用率比30%要小取决于其磁场特性。为了使靶材利用率增大，旋转磁场能够被采用，然而旋转机构为旋转磁场所需要，与此同时需要减小溅射速率。旋转磁场为如半导体膜溅射大型或贵重靶所使用，对于小型设备和一般工业设备，磁场静止靶源大多被采用。

平衡态磁控溅射

平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大体上一样，两极磁力线在靶面闭合，在靶面周围非常好的约束了电子/等离子体，使得碰撞几率增加了，使得离化效率提高了，所以在工作气压和电压较低的情况下就可以使辉光发起以及使得辉光放维持，靶材具有相对比较高的利用率。然而因为电子沿磁力线运动主要在靶面闭合，受离子轰击的基片区域比较小。