Semicon China 2026开展在即 | 滨松展台亮点抢先看！

在AI芯片驱动的高算力时代，先进封装技术的复杂性为芯片可靠性带来了全新挑战——如何精准定位并分析隐藏在三维堆叠结构中的失效缺陷？

滨松将在本次展会上，聚焦于“有效应对先进封装失效分析难题” ，特别是针对“电、算、运、存” 四大领域（即能效功耗芯片、计算处理芯片、高速存储芯片、非易失存储芯片）的芯片分析。我们将展示全新升级的Dual PHEMOS-X尖端失效分析设备，其搭载的TD Imaging（热动态成像）全新技术，能够以更高的空间分辨率，有效提升Thermal信号的定位精度与可靠性，为先进封装芯片提供更精准的分析方案。

图1 滨松独有TD Imaging技术，破解复杂结构芯片分析瓶颈，驱动国内半导体工艺与失效分析迈向高端

除了前沿突破，我们广受市场验证的成熟产品线也将同台亮相。这包括：

• PHEMOS-X：凭借成熟的显微架构设计，灵活兼顾芯片正面与背面的综合分析需求。

• 专注背面解析的iPHEMOS-MPX架构：持续作为晶圆级动态分析的优选方案。

在半导体量测领域，任何微小的尺寸偏差都可能被放大。像膜厚测量、OCD测量、Overlay测量和End Point测量这些关键参数的测量，都极度依赖一个稳定、均匀且光谱范围足够宽的光源。滨松的激光驱动白光光源系列，正是为此而生。它们具备超宽光谱、高亮度和出色的长期稳定性，已成为实现各类精密量测应用的理想核心激发光源。

在追求极致效率方面，滨松推出了新产品HyperGauge膜厚仪，利用 λ-Capture 专利技术实现快速测量波长，大幅度提升膜厚检测效率，能在短短5秒内，完成对一整片12英寸晶圆的全场厚度测量，真正实现了速度与精度的统一。

值得一提的是，滨松此前完成了对高性能光纤激光器和光子晶体光纤的领先供应商NKT Photonics的收购。在此次展会上，源自该技术的SuperK激光器也将一同亮相，其在宽光谱范围（400 nm-2500 nm）内具有高亮度的特性，将进一步丰富滨松在精密量测领域的产品组合与解决方案。

在半导体先进封装检测领域，2.5D/3D集成等复杂结构带来了新的检测挑战：TSV（硅通孔）和微凸点内部的微小缺陷（如空隙、裂纹）已成为影响互联可靠性的“隐形风险”，而传统检测手段往往力有不逮。

针对这一瓶颈，滨松提供了无损检测用高分辨X射线源与QPM定量相位显微成像模块。这两大核心部件致力于赋能检测设备，通过提升对隐蔽缺陷信号的捕捉与分析能力，实现对内部缺陷的更清晰成像，从而有效帮助产业缩小检测盲区，保障先进封装的可靠性。

除了上述聚焦于半导体产业链的尖端仪器与部件，滨松众多久经市场验证的成熟光电产品也将在本次展会集中呈现。产品包括UV LED、PMT、相机、SLM、SDE等。这些核心器件已广泛应用于OLED/MicroLED显示、编码器、AI计算（GPU/NPU）、新能源汽车、激光雷达以及医疗诊断设备等多个前沿领域，持续为科技创新提供底层支撑。

在展会现场，我们还为您准备了一份特别的见面礼。欢迎扫描下方二维码提前报名，届时亲临展台完成签到，即可参与现场打卡活动。 轻松一步，您就能将滨松定制精美冰箱贴带回家，并在活动结束后获取完整的滨松中国SEMICON CHINA 2026样本资料库。