广东重点领域研发计划2020年“芯片、软件与计算”(芯片类)申报指南

为全面贯彻落实党的十九大和习近平总书记关于加强关键核心技术攻关的重要讲话精神，按照《广东省重点领域研发计划实施方案》要求，经前期调研、专家论证，结合省内重大技术和产业需求，形成了《广东省重点领域研发计划2020年度“芯片、软件与计算”重大专项(芯片类)申报指南(征求意见稿)》和《广东省重点领域研发计划2020年度“芯片、软件与计算”重大专项(软件与计算类)申报指南(征求意见稿)》。

为提高项目组织的公平性、科学性和精准性，现将申报指南(征求意见稿)向社会公开征求意见，欢迎国内科研单位提出修改意见和建议。有关修改意见和建议请按照附件3格式要求填写，并以单位名义于2020年6月3日前通过本网站提交。广东省科技厅将会同有关部门、专业机构和领域专家，认真研究反馈的意见建议，修改完善指南并适时向社会发布。征集到的意见将不再一一反馈、回复。

节选该指南部分内容  更多详情，请登录广东省科学技术厅查询。

本专项瞄准国际前沿，以国家战略和广东重大发展需求为牵引，以提升集成电路产业核心技术自主可控能力为目的，聚焦集成电路设计、制造、封测等重点环节和产业生态，集聚国内优势团队组织核心技术攻关，力争突破一批制约集成电路产业创新发展的重大技术瓶颈，掌握自主知识产权，取得若干标志性成果。

专题一：EDA工具技术研发及应用

项目 1：数字芯片设计的 EDA 技术创新与应用

研究内容

以提升广东省数字芯片(包括但不限于：CPU、GPU、FPGA等高端通用芯片、各类处理器，物联网智能硬件核心、车规级AI等芯片以及面向通信、人工智能、超高清视频、汽车、卫星应用、智能家居、智慧医疗、电子办公等各类系统级SoC芯片)设计水平为目标，通过EDA工具的优化和创新，重点支撑推动攻克定制架构、芯片安全、低功耗、异构计算、硬件加速等核心关键技术。开展集成电路设计方法学研究，针对先进节点数字芯片设计中设计流程多变，时序收敛要求高，布线密度大，功能和性能验证复杂度高，计算量大，芯片面积、功耗、性能冲突等EDA需求，进行技术创新，开发与芯片设计核心关键技术相关的EDA工具，包括但不限于设计流程自动化、硬件描述和高层次综合的编程语言与形式化验证、编程模型与编译映射、逻辑仿真、逻辑综合、仿真验证、布局布线等工具。 将开发的创新EDA工具推广应用至数字集成电路芯片设计中，提升亿门级数字芯片的设计质量及效率，并在芯片设计过程中对EDA工具进行验证及优化。

项目 2：模拟或数模混合集成电路芯片设计的 EDA 技术创新与应用

研究内容

以提升广东省模拟与数模混合芯片(包括但不限于：功率半导体、射频、传感器、放大器、显示驱动、电源管理、毫米波等芯片)设计水平为目标，通过EDA工具的优化和创新，重点支撑推动攻克新工艺、新架构、信号完整性、芯片稳定性、异质集成等核心关键技术。开展集成电路设计方法学研究，针对先进工艺节点或特色工艺节点的模拟或数模混合集成电路芯片设计中自动化程度偏低，计算机仿真、验证复杂度高，计算量大，电路分析精度和容量冲突等EDA需求，进行技术创新，开发与芯片设计核心关键技术相关的EDA工具，包括但不限于设计流程自动化，高精度、大容量、高速度的布局布线、电路分析、计算机仿真等工具，重点突破传统SPICE框架，通过时域积分矩阵求解器等创新方法，研究大规模并行化，在不降低精度的前提下提高仿真精度及速度。 将开发的创新EDA工具推广应用至模拟与数模混合集成电路芯片设计中，提升芯片的设计质量及性价比，并在芯片设计过程中实现EDA工具的验证优化及应用。

项目 3：存储芯片设计的 EDA 技术创新与应用

研究内容

以提升广东省存储芯片设计水平为目标，通过EDA工具的优化和创新，重点支撑推动攻克新协议、存算一体、物理不可克隆、大容量、自纠错、稳定性等核心关键技术。开展集成电路设计方法学研究，针对先进节点(16纳米或以下)存储芯片设计中晶体管密集，设计余量低，工艺偏差对芯片质量和良率影响大等EDA需求，进行技术创新，开发与芯片设计核心关键技术相关的EDA工具，包括但不限于存储编译器、高精度仿真工具、快速验证工具等，充分利用存储芯片阵列高度结构化的特点，通过网络划分，模型降阶以及超大规模并行化等创新技术，在维持足够低精度的前提下提高仿真效率、容量和速度;研究快速蒙特卡洛方法等新技术，提升高Sigma验证的准确性及速度。

专题二：集成电路制造工艺

项目 1：基于模拟特色工艺的器件精准模型及 PDK 工艺库研发

研究内容

以重点提升广东省模拟芯片，尤其高端数模混合芯片设计以及其工程化设计水平为目标，攻克特色模拟半导体工艺、基于特色模拟工艺的精确器件物理模型以及芯片设计 PDK 工艺库。从半导体材料本质出发，开展基础性器件物理研究，突破可复制的从特色工艺、器件物理模型、到芯片设计的关键技术。围绕高性能数模混合芯片设计需求及产业化“瓶颈”，重点研发能精确反映特色工艺的器件物理模型(包括不同偏置状态、温度条件、工艺角、工艺波动等)以及其相关的噪声模型和可靠性模型，构建灵活、精简、高效的半导体器件紧凑模型，尤其是有源器件的模型，并能实现与各类 EDA 工具的快速整合，提升仿真效率，优化模型的收敛速度。进一步建立不少于一个典型芯片的基于特色工艺及模型的芯片设计 PDK 工艺库，开发高端的数模混合芯片产品，包括但不限于高精度、低漂移电压基准，超低失调电压放大器，高精度模数、数模转换芯片、IO 以及 ESD 宏模型等，为芯片设计整体精准仿真提供平台。

专题三：集成电路封装关键技术

项目 1：异构集成关键技术的研发和应用

研究内容

以研发半导体产业先进的精细线路芯片间异构互连多器件封装为重点，开展基于三维封装、扇出封装、晶圆级封装、系统级封装、真空封装、MEMS 技术等先进封装技术的集成创新研发，实现功能化元器件架构创新、5μm 到 40μm 的线宽线距的高带宽芯片间的高能效处理器和储存器互连、紧凑型系统集成等，在射频模块、传感器、存储器单元、光电器件、激光光源、雷达器，以及集成硅器件和无源器件(如大容量电容、特种电感、滤波器)等领域开展产品应用。产品的技术指标要优于传统倒装和打线等工艺的指标。掌握核心生产制造技术，储备知识产权，为量产指明方向。

项目 2：先进精细线路封装面板级工艺研发

研究内容

开发和量产在 200mm 以上面板尺寸基于高密度精细线路的刚性基板、柔性基板、刚柔结合基板等高端封装基板，推动高密度高精度(Z小线宽线距，放焊材料，开孔等)和高性能(低损耗，高可靠性，小尺寸高频)的封装基板制造的自主可控国产化。开发面板级扇出封装射频和功率器件的量产，实现高集成度、小尺寸、价格有竞争力的新面板级扇出封装产业化，弥补国内空白。