3000V国产高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在D一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。

技术指标
电压性能参数:
电压 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
电流性能参数:
电流 | 源 | 测量 | ||
量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
应用领域:
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
订货信息
型号 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
测量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
Z大功率 | 100W | 220W | 300W |
Z小电压量程 | 100V | 100V | 100V |
Z大电压量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
Z小电流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
Z大电流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
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能够同时输出和测量电压电流,蕞大支持30V,1A直流/脉冲输出,最小脉宽可达100μs。支持源表标准SCPI指令集,支持PXIe Trigger及前面板DIO同步触发,提高了系统测试效率并降低成本。
能够同时输出和测量电压电流,最大支持10V,500mA直流/脉冲输出,最小脉宽可达100μs。支持源表标准SCPI指令集,支持PXIeTrigger及前面板DIO同步触发,提高了系统测试效率并降低成本
数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、电压表、电流表和电子负载,支持四象限功能,可提供恒流测压及恒压测流功能,可简化芯片电性能测试方案。
能够同时输出和测量电压电流,最大支持10V,500mA直流/脉冲输出,最小脉宽可达100μs。支持源表标准SCPI指令集,支持PXIeTrigger及前面板DIO同步触发,提高了系统测试效率并降低成本
汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中
支持脉冲、直流PIV特性曲线扫描测试和特性参数计算,支持光谱特性测试(需要外接光谱仪)。仪表集脉冲电流源、电流表、电压表和光功率计等功能于一体,具有体积小、测试速度快、使用简单的特点
不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能,还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求,确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现
集合电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载的功能于一身,摒弃了多台仪器连接耗时、占用空间大、操作不方便等弊端。普赛斯仪表作为国内蕞早生产数字源表的厂家,自主研发生产的数字源表性价比高、操作方便,厂家服务更及时,可广泛用于分立半导体器件、能量与效率特性测试、传感器特性测试、有机材料、纳米材料等测量。支持四象限工作,可作为源或负载