等离子增强原子层沉积系统PEALD

原子层沉积系统

Atomic Layer Deposition System

产地：美国Angstrom；
型号：Angstrom Dep II, Angstrom Dep III；

原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术，它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术，其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。

• 详细介绍

• 
  

  主要型号：

  - Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD);

  - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD);

  - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD);

   

  技术规格特点：

  - 基底尺寸：3英寸，4英寸，6英寸，8英寸，12英寸；

  - 基底加热温度：25℃~450℃(选配：650℃)；

  - ALD沉积均匀性：<1% (AL2O3@4”晶圆衬底)；

  - 前驱体源路：4路 / 6路 / 8路，可选；

  - 源瓶容量/温度：100cc，常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选；

  - ALD阀门：Swagelok高温ALD阀，150℃ / 200℃ / 250℃可选；

  - 载气：氮气或者氩气；

  - 真空获得系统：阿尔卡特真空机械泵，也可选配普发分子泵或高速干泵；

  - 其他可选模块： Load-Lock样品传输腔室，手套箱，冷阱，臭氧发生器，等离子体源、粉末沉积腔，各种原位监测模块，尾气处理系统等；

   

  ALD可沉积材料分类：

  - 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

  - 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

  - 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

  - 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

  - 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

  - 金属单质：Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

  - 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

  等等…

   

  参考用户：

  中科院化学所，中科院大连化物所，中科院长春光机所，北京大学，北京工大，北京科大，电子科大，上海理工大学…