高温少子寿命测量系统 - HTpicts

HTpicts 专门用于宽禁带半导体中的少子寿命和深能级缺陷检测，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。（涵盖瞬态模式μPCD、稳态模式MDP、微波光电导等方法，符合SEMI PV9-1110 半导体标准）

碳化硅 |氧化镓| 氮化铝 | 氮化镓｜金刚石｜等

[ SiC | Ga₂O₃｜AIN | GaN | Diamond ]  and more

重要优势：
1）专门用于宽禁带和超宽禁带材料深能级缺陷测量

2）深能级缺陷研究的高温条件

3）针对各类材料的定制化激光集成方案

4）全自动温度调节测量

技术规格：  

应用案例：

磷化铟（InP）中缺陷能级的研究

微波探测光电导瞬态谱（HT-PICTS）是表征磷化铟中缺陷能级的理想方法。例如，针对磷化铟（InP）的研究表明，退火过程会改变材料中的缺陷浓度，而这一变化或许会对其电性能分布产生影响。

未处理样品的缺陷浓度取决于其在晶体中的位置，而晶圆退火处理后的样品则呈现出一组统一的缺陷能级。图1对比了取自晶体不同位置的掺杂铁元素半绝缘磷化铟样品，这些样品的特征缺陷能级存在差异。含铁磷化铟样品中观测到的特征谱峰，头一次证实了铁在磷化铟中可作为复合中心发挥作用。

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）

用于研究半导体中的缺陷，温度依赖型方法（类似深能级瞬态谱-DLTS）已被广泛应用。