原位变温缺陷能级表征系统 - MDpicts pro

MDpicts pro

原位变温缺陷能级表征系统      

用于科研及生产应用的MDpicts pro（原位变温缺陷能级表征系统）。使用非接触式光电导率衰减法、深能级瞬态谱(DLTS)技术，尤其针对温度依赖的载流子寿命测量系统（面扫和单点）。MDPicts pro测试系统的优点是完全非接触式，是一种对待测样品无损伤和非破坏式的检测手段，采用微波谐振微波腔来接收信号。由缺陷捕获载流子的再发射引起的光电导率的变化可以通过微波吸收来检测。MDPicts pro已成功用于分析各种具有半绝缘行为的化合物半导体。

材料：

MDpicts pro 能够对几乎所有半导体进行电学表征

碲镉汞｜碳化硅 | 化合物半导体 | 氧化物 | 宽带隙材料 | 钙钛矿| 外延层

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

重要优势：
1）从窄禁带材料到宽禁带材料的全覆盖测试

2）实现材料缺陷的根本原因分析：无损、灵活且精确

3）空间分辨率高

4）同时具备瞬态μPCD和稳态MDP测量

5）原位新型低温恒温测试系统，

6）半导体材料中的缺陷分布

7）半导体材料光电导率测试

8）深能级缺陷的激发活能

9）深能级缺陷的俘获截面

10）深能级缺陷测试

技术规格：  

应用案例：

光束诱导电流（LBIC）
该过程基于对太阳能电池中局部电流（Isc）的测量，该电流通过激光诱导的方式产生

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）

为研究半导体中的缺陷，温度依赖型方法（类似深能级瞬态谱（DLTS））已被广泛应用。

磷化铟（InP）中缺陷能级的研究

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）是研究磷化铟（InP）中缺陷能级的理想方法。例如，对磷化铟的研究表明，退火过程中材料的缺陷含量会发生变化……