产品介绍：
在对低电阻率晶锭和晶圆进行非接触式测量方式上拥有非常重要的重复性Si | Ge | 化合物半导体 | 宽带隙 | 材料 | 金属 | 导电 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
电涡流传感器的测量原理
中心处可实现较大的准确性和精确度
4H-SiC晶圆整个生长面区域的电阻率变化测量
硅晶圆电阻率变化测量 — 面扫描、分布和线扫描
特征 ：
| 电阻率的非接触式测量和成像 | 高频涡流传感原理与集成红外温度传感器可校正样品的温度变化 |
| 信号灵敏度 | 基于线圈频率读数（正在申请专 利）的高信号灵敏度，可实现准确可靠的电阻率测量，并具有高再现性和可重复性 |
| 测量时间 | 测量时间 < 3 s，测量之间时间 < 1 s |
| 测量速度 | 200 mm 晶圆/晶锭 < 30 s，9个点 |
| 多点测量及测绘显示 | 不超过9999个点 |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微弯曲的晶圆、晶锭、锭板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 边缘扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模块化、紧凑的台式仪器设计，可靠性高，正常运行时间 > 99% |
| 电阻率测量的重复性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法对材料系统分析（MSA） |
更多技术规格和配置选项:
为自动化流程做准备 | 可用于不同的平台 |
测量方法符合 | SEMI MF673标准 |
数据及数据有效性检查 | 使用NIST标准 |
校准精度 | ±1% |
集成红外温度传感器 （±0.1°） | 允许报告标准温度下的电阻率，（与样品的实际温度不同） |
样品厚度校准 | 对于高频信号穿透深度大于穿透深度的样品 |
电力要求 | 100-250 VAC, 5 A |
尺寸 | 465 ´ 550 ´ 600 mm |
软件控制 | 配备Window10或新版本的标准PC，2个以太网端口 |
用户友好且先进的操作软件：
◇ 电阻率测量配方；
◇ 导出/导入功能和原始数据访问；
◇ 多级用户账户管理；
◇ 所有执行的测量概览；
◇ 绘图选项（线、十字、星、完整地图、地形、用户定义图案）；
◇ 分析功能包；统计、方差分析、温度校正函数和数据库；
◇ 远程访问；基于互联网的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持；
报价：面议
已咨询406次电阻率测试仪（RESmap)
报价：￥13500
已咨询2030次122-炭素材料电阻率测试仪
报价：￥20000
已咨询356次导电和防静电材料体积电阻率测试仪
报价：￥15190
已咨询234次121A-绝缘电阻率测试仪
MDpicts温度依赖型寿命测试系统该设备可对材料电学特性进行非接触、无损伤的单点测量。总体而言，MD-PICTS设备适用于多种材料及不同制备阶段的测量，涵盖硅原料、裸片、各类中间制备阶段样品，以及砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物半导体。
HTpicts专门用于宽禁带半导体中的少子寿命和深能级缺陷检测，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。
用于生产和研究实验室应用的MDpicts pro（高分辨率变温少子寿命测试仪系统）。全自动设备，以非接触、无破坏方式绘制材料的电输运特性。
用于科研及生产应用的MDpicts pro（原位变温缺陷能级表征系统）。使用非接触式光电导率衰减法、深能级瞬态谱(DLTS)技术，尤其针对温度依赖的载流子寿命测量系统（面扫和单点）。
自动化晶圆定向检测系统，在线式晶圆取向图谱分析，完全符合晶圆厂标准
自动化碳化硅晶锭粘接定向仪，Ingot XRD SiC 兼具高产能与高精度，助力先进碳化硅晶圆高效生产
晶锭自动化单晶定向系统，可使现有设备满足 200 毫米及 300 毫米规格晶锭的高级外径 / 缺口技术标准
高质量且耐用的分析X射线管 为X射线衍射仪、晶体定向仪配套使用。本产品的通用性强，可以在国内外多种仪器上替代进口同类产品使用，需复杂调试即可稳定适配，为实验分析提供可靠支持。
营业执照已审核
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沪公网安备 31011502008050号