
※ 主要应用于半导体、宽禁带半导体材料中的缺陷、杂质浓 度及界面态(俘获界面)研究。
※ 高灵敏性,Nt/Nd<1*10 。
※ 样品电容测试范围广,1pF-100nF,便于样品制备。
※ 测试温度范围广,25K-700K,含液氦循环制冷。
※ 多种测量模式兼容,DLTS、DDLTS、ODLTS、CTS、 IV/IVT、CVT等模式。
※ 高性价比,适宜各种应用需求。 ※ 低损伤和污染。
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