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仪器网>产品中心> 上海麦科威半导体技术有限公司>光谱仪(发射、吸收、发射)>深能级瞬态吸收光谱仪>深能级瞬态谱仪DLTS

深能级瞬态谱仪DLTS

面议 (具体成交价以合同协议为准)
德国phystech FT1230 欧洲 德国 2026-01-24 04:15:22
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产品特点:

此设备根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS 谱。

产品详情:

高能分辨率深能级瞬态谱(DLTS)


PhysTech在1990年推出了一台数字DLTS,随着电脑技术的发展,使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上,用各种数学模型分析测量到的瞬态过程,如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS(等温瞬态光谱)信号重叠法、温度扫描信号重叠法(重折叠)。与其他系统相比,HERA-DLTS具有无法比拟的能量分辨率。

半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS 谱。

特点:

  • 自动接触检查

  • 常规测试和加强软件

  • 自动电容补偿

  • 三终端FET电流瞬态测量

  • 大电容和浓度范围

  • 灵活性高、模块化硬件

  • 支持各种冷却仓和温度控制器

  • 傅里叶转换(F-DLTS),比例窗口和用户自定义校正功能

  • DLTFS(深层瞬态傅里叶光谱仪)评价

操作模式:


  • C-DLTS

  • CC-DLTS

  • I-DLTS

  • DD-DLTS

  • Zerbst-DLTS

  • O-DLTS

  • FET-Analysis

  • MOS-Analysis

  • ITS(等温瞬态光谱仪)

  • 缺陷分析

  • 俘获截面测量

  • I/V, I/V(T)理查森标绘图

  • C/V, C/V(T)

  • TSC/TSCAP

  • PITS(光子诱导瞬态谱)

  • DLOS(特殊系统)

规格:



分辨率:

1*108 atoms/cm3

脉冲发生器

电压范围:±20.4V(±102opt.)
电压分辨率:0.625mV
电流:>±15mA
脉冲宽度:1μs-1000s
快速脉冲选配


电容表
HF信号:100Mv@1MHz(20mV optional)
范围[pF]:3,30,300,3000(自动或手动)
电容补偿:0.1-3000 pF(自动或手动)
灵敏度:0.01 fF


电压测量
范围:±10V
灵敏度:<1μV
输入电阻:106Ohm
可提供偏压补偿:

电流测试

范围:

5,从±1μA 到±10mA

灵敏度:

<1pA
可提供漏电保护

瞬态记录

样品速率:

2μs到2000s

样品数量:

16-16384(opt.64k)

可调节抗失真滤膜



标准冷却仓
温度范围:15K-450K或77K~800K
温度扫描方式:使用28个不同的相关功能(软件)通过一次温度扫描,给出28个温度扫描信号。

典型性能(Schottky Diode,Reverse Bias Capacitance 100pF@OV)
灵敏度:10-7<NT/(ND-NA)<10-5
能量精度:HT+/-3%
能量分辨率:10meV
发射率:10-3/s<en<104/s


Options

  • Constant Capacitance

  • Optical Excitation

  • Fast Pulse Interface

  • ±100 V Option

  • Multi Sample Interface



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