概述
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。
系统优势
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；
功率MOS管CV测试仪典型配置
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已咨询266次CV测试系统
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已咨询48次CV测试
普赛斯插卡式主机采用自定义框架，背板总线带宽高达3Gbps，支持16路触发总线，满足多卡设备高速率通信需求。普赛斯研发了丰富的可供用户选配的子卡，方便用户根据功能性能需求灵活配置不同的子卡。主机对外通信支持串口、以太网及GPIB
采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试
具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有卓越的测量效率与可靠性
采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且最大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试。
不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求
武汉普赛斯P系列数字源表汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中
PMST系列igbt静态测试机igbt检测仪采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线
用于光通行业的LD、TO-CAN、TOSA、EML以及碟形器件的TEC温度控制、LIV特性曲线、PV特性曲线和特性参数测试，以及光谱特性测试（需要外接光谱仪）。系统集温控器、电流源、电压源、电流表、电压表和光功率计等功能于一体，体积小、测试速度快、精度高，可以极大的提高器件测试的产量和质量
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