感应耦合等离子刻蚀机 STS Multiplex ICP

一、设 备 信 息 MACHINE INFORMATION

1、产品信息 Product Information: 6英寸  硅片 (MEMS Process)

2、设备重量 Unit Weight: 1200Kg

3、运行数量 Run Number: Single wafer

4、腔体配置 Chamber Configuraton∶ 1X Chamber

5、设备尺寸 Machine Size: 详见附件 《设备机械 图纸》See Attachment

二、硬件配置 HARDWARE CONFIGURATION

1.MAIN body        lea    

2, Load lock           lea   

3, Turbo Pump        lea 

4, Controller BOX   lea

5. RF Generater     2ea

6. Vaccum Pump   2ea

7, Chilller   2ea

8, Gas box  1ea

三、设备方面 EQUIPMENT

1.机台正常起辉

2.背 He流量不大于 40SCCM

3.背 He漏率不大于 30mtor/min

4. 腔体背底压力不大于 9*e - 5 Tor

5.刻蚀速度大于 5um/min

6.刻蚀片内均一性小于+/-5%

7.选择比 si:  PR大于 100: 1；si: siO2大于 150:1

8.侧壁角度 :91- 95°