紫外负性光刻胶

Futurrex 成立于1985年，是美国高端光刻胶及辅助化学品制造商。产品以技术著称，从2000年至今年均增长率为33%。主要客户有：Ti、半导体、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm (高通)等。Futurrex长期与Intel实验室合作，产品被广泛收录进美国各大学半导体教程，是各大研究机构产品。

Futurrex产品优势：

1、Futurrex光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂（HMDS）

2、负性光刻胶常温下可保存3年

3、150度烘烤，缩短了烘烤时间

4、单次旋涂能够达到100um膜厚

5、显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟

负性光刻胶

A、 粘性增强负胶（NR9-P、NR9G-P、NR5系列）

特性

在蚀刻和电镀应用时具有的粘附力，且很容易去除

厚度范围：<0.1-120μm

i、g以及h线曝光

优势：

具有一次旋涂即可获得100μm以上优越的分辨率的甩胶厚度

150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间

更快的显影，100μm的光刻胶显影仅需6-8分钟

不必使用增粘剂如HMDS

B、 高级加工负胶（NR71-P、NR71G-P系列）

特性：

在RIE处理是优异的选择性以及在离子注入时优异的耐高温性能

厚度范围：<0.1-120μm

i、g以及h线曝光

优势：

具有一次旋涂即可获得100μm以上优越的分辨率的甩胶厚度

150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间

    更快的显影，100μm的光刻胶显影仅需6-8分钟

    可耐受180℃的高温

    不必使用增粘剂如HMDS

应用展示：

用NR5-800制作结构的案例

MEMS设计中25μm厚NR5-8000光刻胶图案及其下方硅片20μm高刻蚀结构线宽控制展示：NR5-8000的图案不存在大体积影响

MEMS设计中25μm厚NR5-8000光刻胶图案及其下方硅片20μm高刻蚀结构显影能力展示：

Futurrex紫外负性光刻胶-湿法工艺

Futurrex紫外负性光刻胶-干法工艺

Futurrex紫外负性光刻胶-lift-off工艺

Futurrex紫外正性光刻胶