德国 ALLRESIST 紫外光刻胶

德国 ALLRESIST 紫外光刻胶

1. 紫外光刻胶（Photoresist）

1）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。

2）各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。

3）各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

• 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）

1）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。

2）电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。

• 特殊工艺用光刻胶（Special manufacture/experimental sample）  

电子束曝光导电胶，耐酸碱保护胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶），全息光刻用胶，长波曝光胶，深紫外曝光胶等特殊工艺用胶。

4.配套试剂（Process chemicals） 

显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。

一．紫外光刻胶（Photoresist）

1. 正胶：

AR-P 1200 喷涂用光刻胶（Spray Coating）

适合喷涂（Spray Coating）的正性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。

AR-P 3100 薄胶

高灵敏度光刻胶，胶膜薄且均匀。在玻璃和镀铬表面附着力好，可用于光学器件加工、掩膜制作、激光干涉曝光等。另有，AR-P 3170 可以做出 100nm，甚至更小的线条（几十纳米）。

AR-P 3200 厚胶

黏度大，可得到厚胶膜，厚度可达几十微米，甚至上百微米。胶膜覆盖能力好，适合粗糙的 Wafer 表面涂胶，可很好的保护结构边缘。图形剖面边缘陡直。适合做LIGA或电镀工艺等。

AR-P 3500，AR-P 3500T 通用型光刻胶

适于集成电路制造中的掩膜加工。高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中，AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化，而新研制的一种光刻胶；性能和AR-P 3500相似，同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能，以及大的工艺宽容度。

AR-P 3700/3800 高分辨率光刻胶

可用于制作亚微米结构，如高集成电路等。甩胶层表面平整均匀，高敏感度，高对比，良好的结构稳定性，工艺要求范围宽。AR-P 3840为染色的光刻胶，可以降低驻波和散射等的影响。

AR-P 5300 单层Lift-Off工艺用胶

Lift-off工艺用胶，利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率，且与金属和氧化物表面附着良好。

2. 图形反转胶

AR-U 4000 图形反转胶

通过调整工艺参数可实现正胶或负胶性能。图形反转工艺后，光刻胶呈现负胶性能，可以得到非常明星的倒梯形结果，用于lift-off工艺。

3.负胶

AR-N 2200

适合喷涂（Spray Coating）的负性光刻胶，高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面，可用于复杂工艺。

AR-N 4240 紫外、深紫外曝光，可做lift-off工艺

i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形，专为满足先进集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能，在金属和氧化物表面的附着力好，并可用于lift-off工艺。

AR-N 4340 化学放大胶，紫外曝光，可做lift-off工艺

i线、g线曝光。化学放大胶，高灵敏度，高分辨率，高对比度，在金属和氧化物表面附着力好，可用于lift-off工艺。

AR-N 4400 厚胶，化学放大胶，可以做lift-off工艺

i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米，覆盖能力好，可用于表面粗糙的wafer表面涂覆，且剖面陡直，高分辨率。化学放大胶，灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。采用碱性水溶液显影，除胶非常容易，可以提到传统的SU8胶。

二．电子束抗蚀剂

1.正胶

PMMA（AR-P 631~ 671，AR-P 639~ 679，AR-P 672）

PMMA胶最主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。

PMMA胶种类齐全，不同的系列中包含了各种分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各种溶剂（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各种固含量的PMMA胶，以满足各类电子束光刻的工艺要求。另外，厂商还可以根据客户的具体需求来生产其他分子量、固含量的PMMA胶。

PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。

（注：工厂可根据用户的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA胶。）

AR-P 617 （PMMA/MA共聚物）

适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高，是普通PMMA胶的3~ 4倍，对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。

AR-P 6200 超高分辨率、高耐刻蚀电子束正胶

高分辨率，通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。高深宽比（可达20:1），高对比度（>15）。良好的耐干法刻蚀性能，是PMMA胶的2倍。完全可以取代ZEP胶，经济实惠，并且采购简单，包装规格多样化。

AR-P 6510 （PMMA厚胶）LIGA工艺用正胶

以PMMA为基础开发出的电子束厚胶，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。

2.负胶

AR-N 7500， AR-N 7520 电子束负胶，高分辨率

分辨率高（30nm），对比度高（> 5），良好的耐等离子刻蚀性能，可以用于混合曝光。灵敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之间。

AR-N 7700 电子束负胶，化学放大胶，高灵敏度

化学放大负胶，高灵敏度，高对比度，良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能，可以用于混合曝光。

AR-N 7720 电子束负胶，三维曝光

化学放大负胶，高灵敏度，对比度非常小（<1），非常适合制作三维结构；也可以用于衍射光学及全息器件的加工。

X AR-N 7700/30，SX AR-N 7700/37 电子束负胶，化学放大胶，超高灵敏度

化学放大负胶，超高高分辨率，良好的耐等离子刻蚀能力，适合混合曝光。高灵敏度，灵敏度比AR-N 7700更高。

三 .特殊用途的光刻胶

AR-PC 5090.02 /5091.02电子束曝光用导电胶，不含光敏物质。

在绝缘衬底上做电子束曝光时，为了避免电荷累积，大家通常会选择涂一层导电胶，来消除电荷累积。在正常的曝光结束后，导电胶会溶于水中，非常容易去除，不会影响正常的电子束曝光工艺。

AR-BR 5400 双层Lift-Off工艺底层胶

可以得到稳定的Lift-off结构，利于金属的沉积。在制作双层工艺时，需要和正胶AR-P 3500或AR-P 3500T配合使用。从270nm到红外区，有良好的光学透明性，热稳定性好。

AR-PC 500 耐酸碱保护胶

在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质。尤其在碱性环境（40% KOH）中非常稳定。一般涂于衬底背面，防止刻蚀工艺中的化学物质损害其背面结构。503颜色为黑色，较504耐刻蚀性能稍弱。

SX AR-PC 5000/40 耐酸碱保护胶

在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质。在40%的KOH和50%的HF中，具有很好的保护作用的，耐刻蚀时间可以长达数小时。另外，还可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。

AR-P 5910 耐HF酸刻蚀光刻胶，正胶

对基底有很好的粘附性，一般用于低浓度的HF，在5% 以下的HF 酸中有很好的保护作用。

X AR-P 5900/4 耐碱刻蚀光刻胶，正胶

主要用于耐碱刻蚀以及保护层。光刻胶可以在2n（2mol/L）的NaOH中可以稳定很长时间。

SX AR-PC 5000/80 聚酰亚胺光刻胶，不含光敏物质

热稳定性光刻胶，在400°C时仍然很稳定。不含光敏物质，但是可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。可以用于制作传感器材料、保护层及绝缘层。

SX AR-PC 5000/82 聚酰亚胺光刻胶，紫外正胶

热稳定性光刻胶，正胶，在400°C时仍然很稳定。具有良好的耐等离子刻蚀性能，可用于离子注入工艺。

X AR-P 5800/7 深紫外曝光胶，正胶

深紫外曝光（248 - 265 nm 和300 - 450 nm），在这个波长范围内，光刻胶的透射率高。耐刻蚀性能好。适合接触曝光，曝光过程中，产生的氮气少，可以提高图形质量。

SX AR-P 3500/6 全息曝光用胶，正胶

在长波段具有很好的灵敏度，敏感波段为（308 – 500nm），主要用于全息曝光工艺。

SX AR-N 4800/16 有机溶剂显影光刻胶（用于无水环境），负胶

基于PMMA的负胶，曝光波长230 – 365nm。主要用于工艺中衬底材料对水敏感，需要无水环境操作的情况。采用有机溶剂显影，避免了水或潮气对衬底材料的破坏。

四．配套试剂

显影液

多种配套显影液，可用于紫外光刻胶，电子束光刻胶、特殊用途用等光刻胶的显影。

定影液

主要用于电子束光刻胶用定影液。

除胶剂

多种配套除胶剂，可用于紫外光刻胶，电子束光刻胶、特殊用途用等光刻胶的除胶。

稀释剂

多种配套稀释剂，可用于紫外光刻胶，电子束光刻胶、特殊用途用等光刻胶的稀释。

增附剂

除了传统的HMDS可作为增附剂外，我们还可以提供AR 300-80型增附剂，AR 300-80使用更简单，毒性更小。