德国Allresist 特殊工艺用光刻胶

导电胶
AR-PC 5090
AR-PC 5091
NEW!

电子束曝光用导电层，不含光敏物质。
在绝缘衬底上做电子束曝光时，为了避免电荷累积，大家通常会选择涂一层导电胶，来消除电荷累积。在正常的曝光结束后，导电胶会溶于水中，非常容易去除，不会影响正常的电子束曝光工艺。

AR-BR 5400

双层Lift-Off工艺底层胶
可以得到稳定的Lift-off结构，利于金属的沉积。在制作双层工艺时，需要和正胶AR-P 3500或AR-P 3500T配合使用。从270nm到红外区，有良好的光学透明性，热稳定性好。

AR-PC 500

耐酸碱保护胶
在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质。尤其在碱性环境（40% KOH）中非常稳定。一般涂于衬底背面，防止刻蚀工艺中的化学物质损害其背面结构。503颜色为黑色，较504耐刻蚀性能稍弱。

SX AR-PC 5000/40

耐酸碱保护胶
在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质。在40%的KOH和50%的HF中，具有很好的保护作用的，耐刻蚀时间可以长达数小时。另外，还可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。

AR-P 5910

耐HF酸刻蚀光刻胶，正胶
对基底有很好的粘附性，一般用于低浓度的HF，在5% 以下的HF 酸中有很好的保护作用。

X AR-P 5900/4

耐碱刻蚀光刻胶，正胶
主要用于耐碱刻蚀以及保护层。光刻胶可以在2n（2mol/L）的NaOH中可以稳定很长时间。

SX AR-PC 5000/80

聚酰亚胺光刻胶，不含光敏物质
热稳定性光刻胶，在400℃时仍然很稳定。不含光敏物质，但是可以和正胶配合使用，通过双层工艺来制作图形。可以用于制作传感器材料、保护层及绝缘层。

SX AR-PC 5000/82

聚酰亚胺光刻胶，紫外正胶
热稳定性光刻胶，正胶，在400℃时仍然很稳定。具有良好的耐等离子刻蚀性能，可用于离子注入工艺。

X AR-P 5800/7

深紫外曝光胶，正胶
深紫外曝光（248 - 265 nm 和300 - 450 nm），在这个波长范围内，光刻胶的透射率高。耐刻蚀性能好。适合接触曝光，曝光过程中，产生的氮气少，可以提高图形质量。

SX AR-P 3500/6

全息曝光用胶，正胶
在长波段具有很好的灵敏度，敏感波段为（308 – 500nm），主要用于全息曝光工艺。

SX AR-N 4810/1

有机溶剂显影光刻胶（用于无水环境），负胶
基于PMMA的负胶，曝光波长230 – 440nm。主要用于工艺中衬底材料对水敏感，需要无水环境操作的情况。采用有机溶剂显影，避免了水或潮气对衬底材料的破坏。

SX AR-P 8100.04/1 
NEW!

PPA直写胶
适用于热探针直写及电子束曝光，高分辨率（10nm），无需显影过程，涂胶厚度：100nm@4000rpm ，200nm@1000rpm 。不含光敏物质，无需黄光室。

显影液

AR 300-26, -35

紫外光刻胶用 显影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/电子束光刻胶用 显影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA胶用 显影液

定影液

AR 600-60,-61

电子束光刻胶用 定影液

除胶剂

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/电子束光刻胶用 除胶剂

稀释剂

AR 600-01…09

PMMA胶 稀释剂

AR 300-12

紫外/电子束光刻胶用 稀释剂

增附剂

AR 300-80, HMDS

紫外/电子束光刻胶用 增附剂