MDPinline 光伏测量仪器
一秒内完成正片晶片扫描
MDPinline是为高速自动扫描硅晶片而设计的,它以每片不到一秒的时间记录少子寿命的全部形貌。利用微波检测光电导率定量测量少子寿命。凭借其紧凑的设计,MDPinline可以灵活地集成在传送带上或晶片分选系统中。
MDPinline是生产集成的高速晶片少子寿命自动扫描系统。在一秒钟内完成单晶片形貌测量。
MDPinline是一个用于定量测量少子寿命的紧凑型高速生产集成自动扫描系统。当晶片通过传送装置移动到仪器下面时,一片晶片的形貌测量在一秒钟的时间内进行实时测量。
MDPinline本身不使用机械移动部件,使得它在连续操作下也非常可靠。对于每个单独的晶片,完整形貌的获取提供了新的方法来提高生产成本效益和效率。例如,在不到3小时内获得的10,000个晶片形貌的自动统计评估揭示了晶体生长炉的性能以及材料质量的微小的细节。基于实时质量和均匀性研究,诸如扩散和钝化之类的处理步骤可以在迄今为止不可能达到的性能的时间内逐步增加和优化。在运行生产中,可以立即检测到处理步骤的任何故障。另一方面,晶片销售给用户时,如果每个晶片都表现出优异的性能,则可以实现更高的价格,从而在不到一年的时间内为MDPinline带来回报。
优势
在不到一秒的时间内,实现对一个晶片全电子晶片特性的测量。测量参数:少子寿命(全形貌),电阻率(两行扫描)。
迄今为止还没有看到工艺控制、良率和工艺改进的效率允许极快地增加新的生产或工艺,因为来自数千个晶片的统计信息是在非常短的时间内获得的。
适合于测量出料或进料晶片的材料质量,以及在晶片级别内识别结晶问题,例如在光伏行业。适用于扩散工艺的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。
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ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。