灵活的自动扫描系统MDPmap
离线工具MDPmap是专为半导体晶片或部分工艺过的晶片的多功能、非接触和少子寿命测量而设计的。MDPmap能够连续地改变激发脉冲宽度,从非常短的脉冲(100ns)到稳态测量(几ms),研究不同深度的缺陷动力学和少子寿命特性。直观的绘图软件适用于有效的常规测量以及复杂的研发应用。
MDPmap设计用于离线生产控制或研发、测量少子寿命、光电导率、电阻率和缺陷信息等参数的小型台式无触点电特性测量仪器,在稳态或短脉冲激励下(μ-PCD)下工作。自动的样品识别和参数设置允许在从原始生长晶片到高达95%金属化晶片的各种工艺阶段之后,容易地应用于包括外延层的各种不同样品。
MDPmap的主要优点是灵活性高。例如,它允许集成多达四个激光器,用于从超低注入到高注入的与注入水平相关的寿命测量,或者通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏光设施,以及μ-PCD或稳态注入条件的选择。可以使用不同的测量图形进行客户定义的计算,以及导出用于进一步评估的主要数据。对于标准测量,预定义的标准仅通过按一个按钮即可实现常规测量。
优势
。在几乎任何生产阶段,电活性缺陷或材料性能的可视化实现了工艺优化和设备的性能预测。
。极其通用的测量方法可实现特殊测量以及国际标准的可追溯性。
。小型紧凑的台式工具,具有很高的测量灵敏度,便于快速常规测量。
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已咨询768次德国Sentech 光伏测量仪器
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已咨询277次单频超窄线宽激光器
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已咨询391次移液器吸头
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已咨询168次荧光显微镜
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已咨询4671次探针台 Probe Station
IXION 193 SLM 是一款单频全固态激光系统,适用于光学计量、193 nm 步进光学元件校准或高功率 ArF 准分子激光器的带宽控制等应用。
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ASML 光刻机 Twinscan NXT:1980Di
Syskey 紧凑式溅射系统 Compact Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸,基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%, 最多可配备5个6英寸磁控溅射源(可选配3或4个),支持射频、直流或脉冲直流电源,最多可支持3条气体管路,支持顺序沉积和共沉积。
Syskey 紧凑式热蒸发系统 Compact Thermal ,灵活的基板尺寸,最大可达6英寸, 基板架加热温度最高可达500℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%,可选配电子束或热舟蒸发源(最多3个),速率控制沉积,可沉积多层薄膜,选用特定目标材料
高真空溅射系统 HV Sputter,灵活的基板尺寸,最大可达12英寸或200×200毫米, 基板架加热温度最高可达800℃,出色的薄膜均匀性,误差小于±3%
超高真空磁控溅射镀膜机 UHV Sputter,• 基板支架加热至 800 °C • 优异的薄膜均匀性小于 ±3% • 磁控溅射源(数量最多 8 个),可选强磁版本
Syskey 高真空热蒸发镀膜机HV Thermal 高真空热蒸发系统可提供的真空环境 用于常见薄膜沉积,包括金属、有机物、钙钛矿和化合物。全自动系统可满足各种应用要求,包括OLED、OPV、OPD等。