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SP1-12012自吸附胶盒
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SP1-12012自吸附胶盒
- 产地:
产品名称:SP1-12012自吸附胶盒产品简介:该产品是由高分子胶层特性材料和坚硬的盒身组成。 高分子胶层特性使装入晶片安全吸附,并且高洁净度的胶层表面可确保晶片不被灰尘污染。产品特点: 适应放置各种规格形状和尺寸的晶片, 可人工通过手,镊子及一些自动线上专用夹具放置晶片, 透明对的胶层及包装盒体,对一些有 特殊要求的器件可以实现免开盒检验规格型号: 外径尺寸:120mm*120mm*13.5mm 内径尺寸:118mm*118mm*10mm 颜色:透明/黑 上盖/下底高度:5mm/8.5mm 粘黏
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SP1-24018自吸附胶盒
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SP1-24018自吸附胶盒
- 产地:
产品名称:SP1-24018自吸附胶盒产品简介:该产品是由高分子胶层特性材料和坚硬的盒身组成。 高分子胶层特性使装入晶片安全吸附,并且高洁净度的胶层表面可确保晶片不被灰尘污染。产品特点: 适应放置各种规格形状和尺寸的晶片, 可人工通过手,镊子及一些自动线上专用夹具放置晶片, 透明对的胶层及包装盒体,对一些有 特殊要求的器件可以实现免开盒检验规格型号: 外径尺寸:240mm*120mm*18mm 内径尺寸:235mm*115mm*13mm 颜色:透明/黑 上盖/下底高度:9mm/9mm 粘黏力:低/
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SP3-3818
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SP3-3818
- 产地:
产品名称:SP3-3818产品介绍:高弹性膜结构,优良避震性能,适应各种精密、高值、易碎晶体基片及各种小器件使用。产品规格:外形尺寸:40mm x 40mm x18 mm膜面尺寸:28mm x 28mm颜色:透明相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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SMT-100C手动真空吸笔
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SMT-100C手动真空吸笔
- 产地:
产品名称:手动真空吸笔产品特点:科晶提供便携式真空吸笔系列用于在生产过程中对细小易损的晶片的安全取放。可根据器件的大小选择合适的吸盘尺寸。不同吸笔配备不同吸盘后吸力可从最小3g-500g;本产品采用美国MTI技术,独特的吸盘结构,并提供六种吸盘尺寸:3.18mm/6.35mm/9.35mm/12.5mm/16mm/19mm,以适合不同尺寸、不同重量的器件,最大吸力的参考值为3g/30g/50g/185g/250g/500g.另外提供两种不同特性的材料:A类材料:耐酸碱、耐一般有机溶剂、耐高温,颜色为暗棕红
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SMT-72ESD手动真空吸笔
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SMT-72ESD手动真空吸笔
- 产地:
产品名称:SMT-72ESD手动真空吸笔产品特点:本产品采用美国MTI技术,独特的吸盘结构,并提供六种吸盘尺寸:3.18mm/6.35mm/9.35mm/12.5mm/16mm/19mm,以适合不同尺寸、不同重量的器件,最大吸力的参考值为3g/30g/50g/185g/250g/500g.产品参数:吸笔尺寸:dia13*72mm吸盘直径(mm):6.4/9.5/12.5/19吸力(g):15/30/80/150针头类型:直/弯笔身材质:ESDsiliconrubber相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片
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电动真空吸笔
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 电动真空吸笔
- 产地:
产品名称:电动真空吸笔产品特点:内置QL低噪音真空泵提供不间断的吸力最大吸力达到500g,使用于各种吸盘可调节吸力装置适应各种要求,操作简单方便此款吸盘配置二款不同材质吸盘,导电硅胶吸盘,橡胶吸盘多种直径吸盘可供选择,dia3.4mm、dia6.4mm、dia12.5mm、dia16mm、dia15mm;相应吸盘吸力大小:50g/100g/300g/500g铝合金外壳,坚固且环保低噪音、使用安全、携带方便产品参数:输入电压:AC100V-240V输出电压:DC12V硅管长:1.5m座体尺寸:125mm*6
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34A-SA镊子
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 34A-SA镊子
- 产地:
产品名称:34A-SA产品特点:平头镊子,可用于微小零件和器件的处理及操作产品参数:长度:120mm平夹相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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CH154-SA镊子
- 品牌:合肥科晶
- 型号: CH154-SA镊子
- 产地:
产品名称:CH154-SA产品特点:可以方便夹起微小零部件产品参数:120mm孔径2.6mm垂直孔相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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环氧导电银胶
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 环氧导电银胶
- 产地:
产品名称:环氧导电银胶产品简介:该胶为改性环氧、改性胺类和银粉组成双组份银胶。按比例配制的导电胶性能稳定,粘结强度较高,工艺简便,室温成形,也可加温固化。体积电阻率10-3~10-4Ωcm。广泛用于电子电器工业中金属、陶瓷、玻璃、电极、薄膜电阻间的导电性能粘接。产品特点:技术指标:固化条件:25℃×12h或者60℃×2h或者90℃×30min抗剪Al-Al:>50kg/cm2>80kg/cm2>80kg/cm2体积电阻率:5.0*10-3Ωcm3.0*10-4Ωcm3.0*10-4Ωcm工作温度:-55℃
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金刚石刀(国产)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 金刚石刀(国产)
- 产地:
产品名称:金刚石刀(国产)产品简介:天然金刚石,笔头可伸缩,适合切割各种晶体实验材料产品特点:外形小巧美观,携带和使用方便。标准包装:木箱相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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无尘布
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 无尘布
- 产地:
产品名称:无尘布产品简介:适用于各种晶片机械擦洗;产品特点:1.可擦拭超微小粉尘2.触感柔软安全,不会刮伤物体表面3.镭射封边落尘量低,离子释出量低4.吸水性强5.干湿双用产品规格:超细纤维材质;50cmx23cm相关产品:A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机
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PIN-PMN-PT (铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: PIN-PMN-PT
- 产地:
产品名称:PIN-PMN-PT(铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅)晶体基片产品简介:弛豫铁电/压电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(relaxorferro-/piezoelectricsinglecrystalsPb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3)(Abbr.PIN-PMN-PT,orPIMNT).产品特点:化学分子式:xPb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-zPbTiO3.其中,x+y+z=1,z<0.30,单晶为三方相;z&
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(日本料)掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Nb:SrTiO3
- 产地:
产品名称:(日本料)掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片产品简介:掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构,但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.10.001W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.01~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。科晶提供高质量低成本的掺铌钛酸锶基片。产品参数:晶体结构:Cubic,a=3.905A生长方法:Vernuil密度:5.175g/cm3熔点:2080℃硬度:6(Mohn)热膨胀系数:10.4(x10-6/℃)电阻率:0.007ohm-cmfor0.
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氧化镁(MgO)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氧化镁(MgO)晶体基片
- 产地:
产品名称:氧化镁(MgO)晶体基片产品简介:氧化镁(MgO)是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等,由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片(直径2英及更大),所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。科晶公司用一种特殊的电弧法生长出高纯度的尺寸约2”x2”x 1”的低成本的MgO单晶,采用化学机械抛光制备出高质量原子级表面的基片。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=4.216?生长方法电
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钪酸铽(TbScO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 钪酸铽(TbScO3)晶体基片
- 产地:
产品名称:钪酸铽(TbScO3)晶体基片产品简介:与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配,的铁电薄膜衬底材料技术参数:晶体结构(A)熔点oC密度g/cm3生长方法DyScO3正交a=5.54 b=5.71 c=7.8921276.9提拉法GdScO3正交a=5.45 b=5.75 c=7.9321276.6提拉法产品规格:<110>, 公差:+/-0.5度10x10x0.5mm, 5x5x0.5mm单抛,Ra<5A标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装相关产品:A-Z系列晶体列表
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(进口)高定向热解石墨(HOPG)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 高定向热解石墨
- 产地:
产品名称:高定向热解石墨HOPGSPI-2级产品简介:HOPG有多晶机构,尺寸大小可变,10mm质量最高。产品规格:常规尺寸:外侧晶粒尺寸0.5mm~1mm.标准尺寸:5mmx5mmx1.0mm表面状态:AsCleaved粗糙度:<80.9AngstromRMSand the freshly cleaved surface consists of atomic steps, 0.2-0.3 nm and steps of several or dozens of atomic layers.密度:2
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Bi2Se2Te晶体
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Bi2Se2Te
- 产地:
产品名称:Bi2Se2Te晶体产品简介:常规热电材料,是当前热电因子最大的纯相块体,机械解离可以获得优质的拓扑绝缘体材料.绝缘性好,电阻率高,迁移率好。产品参数:晶向:Hexagonal,group166,R-3M晶格:a=4.38A,C=30.5A纯度:99.999%,原子比5%范围内可调电阻率:0.1-5mohm-cm载流子迁移率:1000-5000cm2/V.s常规尺寸:8x8x0.1mm;5x5x0.1mm依解理和后处理条件可获得非金属样品备注:1000级超净室100级超净袋
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超薄Si片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 超薄Si片
- 产地:
产品名称:超薄Si片产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。产品参数:掺杂物质掺B掺P类型PN电阻率Ω.cm10-3~4010-3~40EPD(cm-2)≤100≤100氧含量(/cm3)≤1.8x1018≤1.8x1018碳含量(/cm3)≤5x1016≤5x101常规尺寸:晶体方向:<111>;<100>;<110>±0.5° 或特殊的方向常规尺寸:dia2"x0.1mm、 dia2"x0.2mm;尺寸公差:dia2
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SOI基片(Si+SiO2+Si)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: SOI基片(Si+SiO2+Si)
- 产地:
产品名称:SOI基片(Si+SiO2+Si)常规尺寸:dia4"镀膜层:20umSiP/B+2umSiO2+500umSiundoped技术参数:国产SOI:膜层厚度可以按照客户需求加工①顶层2um±0.5(5点),BOX层2um±0.1,P型,总厚度大约621um,平整度LTV<1um②顶层3um±0.5(5点),BOX层2um±0.1,P型,总厚度大约622um,平整度LTV<1um电阻率ΩNaN:15-25ohmNaN;进口SOI:点击查看:http://mtixtl.com/soiwa
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Ge晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ge晶体基片
- 产地:
产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:密度:5.765g/cm3;熔点:937.4℃;热传导性:640;掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2<4x103/cm2<4x103/cm2常规尺寸:晶体方向:<111>,<100>and<110>±0.5°或特殊的方向;标
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磷化铟(InP)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 磷化铟(InP)晶体基片
- 产地:
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2常规尺寸:常规晶向:<100>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;
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磷化镓(GaP)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 磷化镓(GaP)晶体基片
- 产地:
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2常规尺寸:常规晶向:<100>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;
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锑化镓(GaSb)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 锑化镓(GaSb)晶体基片
- 产地:
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型PP-P+N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x10171-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC? 3"产品规格:标准尺寸:<100>, dia2"x0.5mm, 单抛, ?3"x 0.5mm.表面粗糙度Ra:<15A可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级
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锑化铟(InSb)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 锑化铟(InSb)晶体基片
- 产地:
产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶InSb掺杂None;Te;Ge导电类型N;N;P载流子浓度cm-31-5x10141-2x1015位错密度cm-2<2x102产品规格:标准尺寸:2"x0.5mm,表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装相关产品:OtherInSbInAsInPGaAsGaSb基片包装盒系列薄膜制备设备RTP快速退火炉
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砷化铟(InAs)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 砷化铟(InAs)晶体基片
- 产地:
产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a=5.4505?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2~5E16/cm3迁移率:>18500cm2/V.S常规尺寸:常规晶向:<100>、<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:1000级超净室100级超净袋OtherInAsInSbInPGaAsGaSb基片包装
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砷化镓(GaAs)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 砷化镓(GaAs)
- 产地:
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/>5x1017/~2x1018>5x1018位错密度cm-2:<5x105生长方法及最大尺寸:LEC&HB?3"常规尺寸:常规晶向:<100>、常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;表面粗糙度Ra:<15A;注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。备注:
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硅(Si)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 硅(Si)晶体基片
- 产地:
产品名称:硅(Si)晶体基片产品简介:化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数:掺杂物质:掺B掺P类型:PN电阻率Ω.cm:10-3~4010-3~40EPD(cm-2):≤100≤100氧含量(/cm3):≤1.8x1018≤1.8x1018碳含量(/cm3):≤5x1016≤5x1016常规规格:晶体方向:<111>、<100>、<110>±0.5°或特殊的方向;常规尺寸:dia1"x0.30mm;dia2"x0.5m
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Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2+Ti+Pt (国产料)
- 产地:
产品名称:Si+SiO2+Ti+Pt薄膜(国产料)产品简介:薄膜厚度:SiO2=500nmTi=50nmPt=200nm;P型掺B电阻率:<0.005ohm.cm常规尺寸:dia4"x0.5mm;10x10x0.5mm;单抛可按照客户要求加工尺寸标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装
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Si+SiO2薄膜
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Si+SiO2薄膜
- 产地:
产品名称:Si+SiO2薄膜产品简介:技术参数:常规晶向:<100>,<111>,掺杂类型:N型掺杂或者P型掺杂制作方法:干法或湿法薄膜厚度:常规厚度300nmSiO2常规尺寸:dia4"x0.5mm;dia2"x0.5mm;单面氧化或者双面氧化可按照客户要求加工氧化层厚度:50nm~1um标准包装:1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装
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氧化锆(YSZ)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: 氧化锆(YSZ)晶体基片
- 产地:
产品名称:氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介:氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低因而得以广泛应用。技术参数:化学分子式(Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9晶体结构立方晶格常数a = 5.125 ?密度5.8 g / cm3纯度99.99%熔点2800oC热膨胀系数10.3x10-6/oC介电常数27晶体生长方法弧熔法产品规格:<100>, <110>,
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钽酸钾(KTaO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: KTaO3
- 产地:
产品名称:钽酸钾(KTaO3)晶体基片技术参数:分子量268.04晶体结构立方,钙钛矿晶格常数a=3.989?生长方法顶部籽晶熔融法熔点~1500℃密度7.015g/cm3莫氏硬度6Mohs热导率0.17 w/m.k@ 300k折射率2.14产品规格:常规晶向:<100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。标准包装:1000级超
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镓酸钕(NdGaO3)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: NdGaO3
- 产地:
产品名称:镓酸钕(NdGaO3)晶体基片产品简介:NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变,在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。技术参数:晶体结构正交晶体参数?a=5.43, b=5.50, c=7.71熔点℃1600密度g/cm37.57介电常数25生长方法提拉法产品规格:<001>, <110>, <100>公差:+/-0
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铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: LaSrAlO4
- 产地:
产品名称:铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片产品简介:铝酸锶镧晶体从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变,与高温超导体YBCO具有相同的结构,<001>面与其它衬底相比与YBCO<001>具有适中的晶格失配(2.5~3.5%),同时该晶体的热膨胀系数比其它钙钛矿结构的晶体低,可以在较低的温度下沉积薄膜从而改善晶格失配及减少应力。技术参数:晶体结构四方晶胞参数?a=3.756 c=12.636熔点℃1650密度g/cm35.92介电常数16.8生长方法提拉法产品规格:常规晶向:<
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铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: NdCaAlO4
- 产地:
产品名称:铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片产品简介:技术参数:晶体结构:四方晶格常数:a=3.685c=12.12生长方法:提拉法熔点:1850℃密度:5.56g/cm3莫氏硬度Mohs热膨胀系数12×10-6/℃介电常数19.5产品规格:常规尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm;常规晶向:<001>晶向公差:+/-0.5度抛光情况:单抛或双抛表面粗糙度Ra<5A注:可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装:1000级超净室100级超净袋或单片盒装相关产品:LSATLaAl
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钛酸锶(SrTiO3)双晶基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Sr-TiO3
- 产地:
产品名称:钛酸锶(SrTiO3)双晶基片产品简介:公司为ZG**可以批量制作双晶产品的单位。可提供SrTiO3, LaAlO3, LSAT双晶基片,用于超导SQUID器件,广泛用于心磁,共振等领域。技术参数:晶体结构立方晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300损耗正切~5x10-4@ 300K , ~3 x10-4@77K颜色及外观透明(根据退火状态有时有轻微的棕色)无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格:角
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Ge晶体基片
- 品牌:合肥科晶
- 型号: Ge
- 产地:
产品名称:Ge晶体基片产品简介:化学符号为Ge,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数:晶体结构:立方:a=5.6754?;生长方法:提拉法;密度:5.765g/cm3熔点:937.4℃热传导性:640掺杂物质:不掺杂;掺Sb;掺Ga类型:/;N;P;电阻率W.cm:>35;0.05;0.05-0.1;EPD:<4x103/cm2;产品规格:晶体方向:<111>,<100>and<110>±0.5o标准尺寸:dia1"x0.50m
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[公开招标]预算1180.1万元 辽宁省检验检测认证中心采购制备液相
辽宁省检验检测认证中心公开招标制备液相、微生物质谱点样仪,全自动红外光谱微生物分型系统,浮游粒子测定器、全自动倒置荧光相差显微镜,纯水仪、无菌均质器、实时荧光定量PCR仪,高速冷冻离心机、冻干仪、生化培养箱,高通量核酸提取工作站、天平,项目编号:JH24-210000-13339
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[公开招标]预算1131万元 河南大学采购紫外可见分光光度计
河南大学公开招标紫外可见分光光度计,实验台、试剂柜、通风柜,pH酸度计、分析天平,离心机、加热搅拌器,项目编号:豫财招标采购-2024-262
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[公开招标]预算954.04万元 广西南亚热带农科所采购自动电位滴定仪
广西南亚热带农业科学研究所公开招标自动电位滴定仪、超低温冰箱、超纯水系统,高速冷冻离心机、紫外可见分光光度计,旋转蒸发仪、振荡水浴锅、电子天平,火焰光度计、凝胶成像仪、高效液相色谱仪,全自动石墨消解仪、全自动凯氏定氮仪,项目编号:GXZC2024-G1-000174-GTZB
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[公开招标]预算207.45万元 揭阳市药品检验所采购原子吸收分光光度计
揭阳市药品检验所公开招标原子吸收分光光度计、马弗炉,气相色谱仪、全自动旋光仪、液相自动进样器,全自动酸逆流清洗机、氮气发生器,电子天平(千分之一)、超声波清洗器,项目编号:GDHS24JYHG04014
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[公开招标]预算760万元 武汉市公安局采购顶空气相色谱质谱联用仪
武汉市公安局公开招标顶空气相色谱质谱联用仪、超声波清洗仪,液相色谱-质谱联用仪、超纯水机,真空泵、振荡器、冷藏冰箱、天平,冷冻研磨仪、超声波清洗仪、色谱柱,项目编号:HBT-17224142-241814
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[公开招标]预算340万元 河北科技大学采购X射线衍射仪
河北科技大学公开招标智能多功能X射线衍射仪及石英晶体微天平系,高分辨激光共聚焦显微镜,项目编号:HBZC-HB202422
- 石英晶体微天平
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