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国产S系列数字源表替代2450
品牌:武汉普赛斯
型号:S系列
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GaN射频器件直流特性测试源表
品牌:武汉普赛斯
型号:S系列
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直流3A半导体参数分析仪
品牌:武汉普赛斯
型号:S100B
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晶体管iv特性图示仪
品牌:武汉普赛斯
型号:SPA-6100
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霍尔测试系统霍尔测试仪
品牌:武汉普赛斯
型号:CTMS-1000A
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半导体分立器件测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表(SMU)。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品,集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器,波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统,支持四象限工作。
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直流3A半导体参数分析仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
直流3A半导体参数分析仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯五合一高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具,接线简单、方便操作。半导体参数分析仪扫描曲线图:利用数字源表简化半导体分立器件特性参数测试丰富的半导体IV特性测试行业经验;全面的解决方案:二极管、MOSFET、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等;提供适当的电缆辅件和测试夹具……普赛斯S系列数字源表优点:同时精确提供和测量电压和/或电流; 同步测量,
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GaN静态参数测试设备3500V
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯GaN静态参数测试设备3500V配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法 灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求
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SiC静态参数测试设备高压大电流
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯SiC静态参数测试设备高压大电流,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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大电流传感器测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: CTMS-1000A
- 产地:武汉
大电流传感器测试系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大电流特性、极快的达到50A/us级上升沿、可测量KHz级带宽等特点,能实现零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间等参数的自动化测量。
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第三代功率半导体器件静态测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯第三代功率半导体器件静态测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求
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泵浦激光器老化测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: LDBIxx系列
- 产地:武汉
普赛斯推出的多路泵浦激光器老化测试系统采用全新开发、自主设计的大电流脉冲恒流源,可以完美兼容CW模式以及QCW模式,支持直流恒流、直流扫描、脉冲直流、脉冲扫描等四种模式。该系统包括高温环境控制装置、直流或脉冲驱动电源、收光装置、光纤、光谱仪(选配)、循环水冷系统、定制夹具、温度采集器及上位机等。
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半导体电性能测试高精密源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100B
- 产地:武汉
普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试领域的经典产品!半导体电性能测试高精密源表找生产厂家武汉普赛斯仪表
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VCSEL器件窄脉冲LIV测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PL202
- 产地:武汉
VCSEL器件窄脉冲LIV测试系统超窄至1us的脉宽,大到30A的脉冲电流,兼容CW和QCW模式,丰富的软件接口,可广泛用于LD脉冲电流、脉冲电压、PD光电流、背光二极管暗电流测试;
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半导体测试源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
普赛斯仪表专注于半导体电性能测试领域,基于高精度数字源表综合实验平台,可提供多种实验测量环境,搭配丰富的测试夹具及实验器材,满足半导体电性能测试需求,提高测试效率。半导体测试源表认准生产厂家武汉普赛斯
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多路大功率激光器老化测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: LDBIxx系列
- 产地:武汉
普赛斯多路大功率激光器老化测试系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强,并具有防过冲、防反冲、抗浪涌的稳压及恒流的双重保护电路等功能
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射频器件测试SMU源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: P系列
- 产地:武汉
射频器件测试SMU源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,P系列脉冲源表是普赛斯推出的高精度、强输出、宽测试范围的脉冲式源表,集电压、电流的输入输出及测量等多种功能。产品具有直流、脉冲两种工作模式。最大输出电压达300V,最大脉冲输出电流达10A,最大电压300V,最大电流1A,支持四象限工作,支持线性、对数、自定义等多种扫描模式。可用于生产、研发中的GaN、GaAs射频材料以及芯片的脉冲式l-V特性测试。
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半导体激光器稳定性分析及老化测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: HCPL系列
- 产地:武汉
半导体激光器稳定性分析及老化测试系统认准生产厂家武汉普赛斯仪表,基于率先国产化数字源表(SMU)的技术开发实力,以及多年来产品覆盖国际通信及半导体头部用户的认可和应用研究,武汉普赛斯针对千瓦级大功率半导体激光器芯片需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题,创新开发推出一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强,并具有防过冲、防反冲、反浪涌的稳压及恒流的双重保护电路等功能,为泵浦激光器的老化测试提供了一个完整的解决方案
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霍尔电流传感器测试平台
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: CTMS
- 产地:武汉
霍尔电流传感器测试平台集多种测量和分析功能一体,可J准测量各种电流传感器(霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等)的静态与动态参数,单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数,具有大电流特性、极快的达到50A/us级上升沿、可测量KHz级带宽等特点,能实现零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间等参数的自动化测量。
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功率半导体器件静态测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-4000A
- 产地:武汉
普赛斯仪表推出的功率半导体器件静态测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
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大功率IGBT静态参数测试平台
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
大功率IGBT静态参数测试平台,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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直流3A国产SMU
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: sxxb系列
- 产地:武汉
SXXB系列直流3A国产SMU是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表, 集电压、电流的输入输出及测量等多种功能。最大输出电压300V,最小测试电流分辨率3pA,支持四象限工作,因此广泛应用于各种电气特性测试:半导体IC或元器件、功率器件、传感器、有机材料与纳米材料等特性测试和分析
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半导体功率循环数据采集卡
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: A400
- 产地:武汉
半导体功率循环数据采集卡使用高性能ADC芯片,分辨率可达16bits,最高支持2MS/s采样率。单采集卡支持4通道,且通道间隔离。采集卡可应用于我司3插卡或10插卡主机上,单主机最高支持40通道。 产品具有采样速度快,分辨率高,通道互相隔离等特点,因此,可广泛应用于各类型功率半导体功率循环,可靠性测试,以及其他工业场景等数据采集。
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瞬变专用电磁脉冲源
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: HCPL100型
- 产地:武汉
瞬变专用电磁脉冲源具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。 设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。
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数字源表测电阻率四探针法
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
简述电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量,某种材料制成的长为1米,横截面积为1平方米的导体的电阻,在数值上等于这种材料的电阻率。它反映物质对电流阻碍作用的属性,它与物质的种类有关,还受温度、湿度等因素的影响。在实际中我们可能需要测试一些薄而平的材料的电阻率或是涂层的电阻率,这时我们需要使用四探针测试的方法来测试。四探针测试法简单的来讲是将四个探针等距放置样品上,外侧两个探针提供电流,内部两个探针测试电压,然后通过测得的数据算出电阻率。测试方法测试电路如图5所示, 图5 四探针测试电
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数字源表测半导体霍尔效应
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
霍尔效应是一种电磁感应现象,当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,如下图所示。霍尔效应测试中我们一般测试霍尔电压VH、电阻率ρ、霍尔系数RH、载流子浓度n、霍尔迁移率μH等参数。数字源表测半导体霍尔效应找生产厂家武汉普赛斯仪表
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数字源表测试扫描IV曲线图
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300
- 产地:武汉
在实际应用中,不同专业领域所进行的电性能测试实验是不同的,下面就来展示一些典型的实验现象,数字源表测试扫描IV曲线图都有哪些呢?
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如何选购数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S200
- 产地:武汉
如何选购数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;数字源表多在高校实验室、科研单位使用,数字源表可广泛用于半导体器件特性测试中,省钱省地,节约测试台空间,同时实现了大动态测试范围,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体,那么在选择数字源表时,需要注意哪些方面呢?1.源的输出范围这个输出范围包括电流输出范围和电压输出范围。例如:普赛斯仪表S300:其电流输出Z大范围为1A,电压输出Z大范围为300V;普赛斯仪表S200:其电流输出Z大范围为1A,电压输出Z大范围为100V;普赛斯仪
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光伏电池伏安特性测试数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
光伏电池伏安特性测试数字源表是对太阳能电池和各种其他器件的I-V特性进行表征的最佳解决方案。其宽广的电流和电压测量范围,可以为科研及生产制造提供卓越的测量性能。结合太阳光模拟器以及专用的上位机软件,支持自动扫描I-V特性曲线以及开路电压、短路电流、最大功率、填充因子、转换效率等参数的测量,能极大简化太阳能电池I-V测试效率,可以比以前更精确、更轻松的表征器件。
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科研高校用国产数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S型
- 产地:武汉
科研高校用国产数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持
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miniled光电特性测试数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S300
- 产地:武汉
概述LED在光电子领域中是一种能将电能转化为光能的半导体二极管,包括砷化镓LED(红光)、磷化镓LED(绿光)、氮化镓LED(蓝光)等。Mini LED,则是指尺寸为50-200微米的LED芯片(参照《Mini LED商用显示屏通用技术规范》的定义),介于小间距LED和Micro LED之间。作为LED技术的一种,Mini LED能够大幅度提升LCD面板性能,具有高分辨率、高亮度、高对比度的特点。 图1
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纳米材料电性能测试高精度源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
测试方式多样,多数纳米材料在光,热,湿度等外部环境的激励下,具有一定的响应特征。因此,在对纳米材料的研发中,常需要测试样品在不同外界激励源的响应输出能力。多样化的测试,使得测试仪表具备多种测试功能,如进行恒压测试,I-V扫描测试,V-t测试,脉冲测试,多通道测试等。
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VCSEL激光器老化测试电流源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 1010C
- 产地:武汉
VCSEL老化测试电流源表认准普赛斯仪表CS系列插卡式源表,目前有1003CS和1010CS两款主机,分别支持3插槽和10插槽,使用10插卡主机时,用户可实现高达40通道的配置,用户针对实际情况可以选择不同的子卡实现在优性价比搭配。详询一八一四零六六三四七六Vcsel失效性分析和老化对比Vcsel失效性分析指标要求电压<10V,Vcsel供电电流≤500mA脉冲宽度=100us/300us,占空比=10%源、测量精度=0.1%通道数:40CH时效性分析数量:40CH物理尺寸:19”标准机柜6U支
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微电流100pA-1A数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S200
- 产地:武汉
微电流100pA-1A数字源表认准普赛斯仪表,国产自主研发,性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发,详情请联系普赛斯仪表销售专员为您解答一八一四零六六三四七六产品简介S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大输出电压达300V,最小电流分辨率10pA,支持四象限工作,因此能
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光电探测器测试SMU数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: P系列
- 产地:武汉
光电探测器测试SMU数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持,普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、2450、2611、2601B、2651、2657等;
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霍尔效应测试系统(HET)
- 品牌:武汉嘉仪通
- 型号: HET
- 产地:武汉
霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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第三代半导体SiC测试仪功率器件测试设备
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,第三代半导体SiC测试仪功率器件测试设备认准普赛斯仪表
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GaN射频器件直流特性测试源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S系列
- 产地:武汉
GaN射频器件直流特性测试源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表, GaNHEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、脉冲大电流源、高速数据采集卡、脉冲恒压源等仪表产品以及整套测试系统。产品广泛应用在功率半导体材料与器件、射频器件、宽禁带半导体的分析测试领域。可根据用户的需求,提供高性能、高效率、高性价比的电性能测试综合解决方案。
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mos管电性能测试数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S系列
- 产地:武汉
MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输 入 / 输 出 特 性 曲 线、阈 值 电 压 VGS(th)、漏 电 流 IGSS、 IDSS,击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。mos管电性能测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表
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太阳能电池板特性参数测试平台
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
太阳能电池板特性参数测试平台认准生产厂家武汉普赛斯仪表,对太阳能电池进行电流-电压(I-V)特性分析对推导有关其性能的重要参数至关重要,包括Z大电流(Imax)和电压(Vmax)、开路电压(Voc)、短路电流(Isc)以及效率(η)。源表之太阳能电池板特性参数测试认准生产厂家武汉普赛斯仪表
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OLED器件电性能测试数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
OLED 的测试一般分为三个方面电学测试和光学测试以及寿命测试。电学测试包括器件的电流、电压、光电流、亮度等。OLED器件电性能测试数字源表找生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六
- 半导体参数测试仪
- 仪器网导购专场为您提供半导体参数测试仪功能原理、规格型号、性能参数、产品价格、详细产品图片以及厂商联系方式等实用信息,您可以通过设置不同查询条件,选择满足您实际需求的产品,同时导购专场还为您提供精品优选半导体参数测试仪的相关技术资料、解决方案、招标采购等综合信息。