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国产S系列数字源表替代2450
品牌:武汉普赛斯
型号:S系列
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GaN射频器件直流特性测试源表
品牌:武汉普赛斯
型号:S系列
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直流3A半导体参数分析仪
品牌:武汉普赛斯
型号:S100B
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晶体管iv特性图示仪
品牌:武汉普赛斯
型号:SPA-6100
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霍尔测试系统霍尔测试仪
品牌:武汉普赛斯
型号:CTMS-1000A
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APD管IV性能分析数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
APD管IV性能分析数字源表击穿电压是指当没有输入光输出电流为10uA时对应的电压,大多在40V至60V范围,有些甚至要求高达80V。暗电流是指当没有输入光偏置电压使用0.9倍击穿电压时的输出电流,暗流很小一般在几个nA。APD管IV性能分析数字源表优点:同时精确提供和测量电压和/或电流; 同步测量,减少测试时间提供和测量非常广的电流和电压; 电压测试范围30uV-300V,电流测试范
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功率器件测试采集卡
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: A400
- 产地:武汉
功率器件测试采集卡,是一款普赛斯自主设计开发的插卡式,支持可变速率采样和大容量数据存储的高精度数据采集卡。 采集卡使用高性能ADC芯片,分辨率可达16bits,最高支持2MS/s采样率
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车规功率器件测试系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PMST-3000V
- 产地:武汉
车规功率器件测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA
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1000A 10us电流源
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: HCPL100
- 产地:武汉
1000A 10us电流源具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(10uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。
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半导体分立器件测试仪
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
半导体分立器件测试仪认准普赛斯仪表,国产自主研发,厂家直销!性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发
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100A大电流国产数字源表
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: HCP100
- 产地:武汉
100A大电流国产数字源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲电流达100A,支持四象限工作
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3000V国产高电压源测单元
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: E100/E200/E300
- 产地:武汉
3000V国产高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA
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激光器LIV测试仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PL201/202
- 产地:武汉
激光器LIV测试仪器认准普赛斯仪表,PL系列激光器LIV测试仪器内置LIV测试软件加速用户完成测试,输出电流脉冲窄,输出脉冲电流大,达30A,支持USB存储,一键导出测试报告,详询一八一四零六六三四七六激光器LIV测试仪器简介PL系列窄脉冲LIV测试系统是为大功率激光器LIV测试而研制的,大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重,而激光器T效受温度影响非常大,直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激光器电压测量等功能。输
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LDO芯片电性能测试仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100/S200/S300
- 产地:武汉
LDO芯片电性能测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,普赛斯S系列高精度数字源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体。产品最大输出电压达300V,最小测试电流量程低至100pA,支持四象限工作,因此,可广泛应用于LDO类芯片测试
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LDO芯片电学特性测试仪器
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100/S200/S300
- 产地:武汉
LDO芯片电学特性测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大输出电压达300V,Z小电流分辨率10pA,支持四象限工作
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激光器LIV测试窄脉冲系统
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PL101/102
- 产地:武汉
PL系列激光器LIV测试窄脉冲系统技术优势(1)超窄低至100ns的脉冲发生器技术;(2)极低的脉冲过冲控制技术,可小于3%;(3)精密的脉冲宽度可调节技术;(4)超高速脉冲采样技术,确保在窄脉冲下采样到正确的数据;(5)超高速同步技术,确保电流、电压、PD光电流同时采样;(6)支持多台并联测量电流需求更大的激光器。脉冲电流源特色(1)量身定制化的LD和Vcsel测量仪表;(2)可为LD和Vcsel提供窄到100ns的脉冲电流源;(3)可同时测量器件电压和PD光电流,实现W美的同步性,无需另外配置PD
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对标2611国产数字源表带脉冲
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: P100/P200/P300
- 产地:武汉
P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
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E系列高电压源测单元
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: E100/E200/E300
- 产地:武汉
高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA
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多通道数字源表测试气敏电阻
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: 1003C
- 产地:武汉
阻值测试本质上是FIMV(加电流测电压)或FVMI(加电压测电流),获取IV曲线后计算阻值。多通道数字源表测试气敏电阻认准武汉生产厂家普赛斯仪表
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钙钛矿太阳能电池测试方案
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: S100
- 产地:武汉
钙钛矿型太阳能电池(perovskite solar cells),是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池,属于第三代太阳能电池,也称作新概念太阳能电池。钙钛矿太阳能电池测试方案认准武汉生产厂家普赛斯仪表
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肖特基二极管高电流测试脉冲电源
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: HCPL100
- 产地:武汉
肖特基二极管高电流测试脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(10uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。
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对标2602b脉冲电流源PL系列
- 品牌:武汉普赛斯
- 型号: PL201/202
- 产地:武汉
对标2602b脉冲电流源PL系列具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉冲光峰值功率检测、支持激光器电压测量等功能。输出脉冲宽度最小可至100nS,输出最大脉冲电流30A。
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岩通计测IWATSU 半导体特性图示仪 IGBT测试系统CS-3000系列
- 品牌:日本岩崎
- 型号: CS-3000系列
- 产地:日本
IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,zuida峰值电压:3000V,zuida峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数, IWATSU岩崎(岩通计测) CS-3000大功率晶体管特性图示仪,分为CS-3100/3200/3300,zuida峰值电压:3000V,zuida峰值电流:1000 A,支持漏电流(LEAKAGE)测试模式(光标分辨率:1 pA),测量IGBT、MOSFET\VDMOS、三极管等功率半导体的耐压、漏电流、导通电阻、输出曲线等参数
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semishare SCG-O-4 高低温真空探针台
- 品牌:深圳森美协尔
- 型号: SCG-O-4
- 产地:深圳
可进行真空环境下的高低温测试(4.2K~450K) 可升级加载磁场 防辐射屏设计,样品温度均匀性更好 支持光纤光谱特性测试 兼容高倍率金相显微镜,可微调移动 器件的高频特性(支持zui高67GHz频率) 探针热沉设计 LD/LED/PD的光强/波长测试 自动流量控制 材料/器件的IV/CV特性测试
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TEG prober
- 品牌:深圳森美协尔
- 型号: Model TEG series
- 产地:深圳
业界zui快的测试速度 超高的测试精度 稳定的测试结果 mult-probe card设计 0.1um精度的直线电机平台 自动清针,自动测针 极小的针痕损伤 全自动测试
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semishareSE-6 探针台
- 品牌:深圳森美协尔
- 型号: SH-6
- 产地:深圳
稳定的结构 同轴丝杠传动结构,线性移动 针座平台可快速升降和微调,适合针卡测试 大手柄驱动,操作舒适,无回程差设计 兼容高倍率金相显微镜,可微调移动 芯片内部线路/电极/PAD测试 高等院校/研究所/公司实验室使用 LD/LED/PD的光强/波长测试 zuida可用于12英寸以内样品测试 材料/器件的IV/CV特性测试
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EN-DC3020便携式IGBT测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-DC3020
- 产地:西安
针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统 功率源 3000V200A
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二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-3020B-1
- 产地:西安
EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
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曲线追踪仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENJ2005J-9
- 产地:西安
测试范围 二极管DIODE,晶体管(NPN型/PNP型),J型场效应管J-FET,MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC,可控硅SCR,绝缘栅双极大功率晶体管IGBT,硅触发可控硅STS 达林顿阵列DARLINTON,光电耦合OPTO-COUPLER,继电器RELAY,稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR,光电开关OPTO-SWITCH,光电逻辑OPTO-LOGIC,金属氧化物压变电阻MOV,固态过压保护器SSOVP,压变电阻VARISTOR,双向触发二极管DIAC
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半导体参数分析仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: ENJ2005C-7
- 产地:西安
IV曲线显示/局部放大,程序保护电流/电压,以防损坏,品种繁多的曲线,可编程的数据点对应,增加线性或对数,可编程延迟时间可减少器件发热
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功率器件曲线分析仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN2005C-7
- 产地:西安
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成,具有全屏显示和增强型编辑帮助。
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新型半导体晶体管图示系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C-5
- 产地:西安
本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。
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EN-2005C 功率器件综合图示系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C 4
- 产地:西安
系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。
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易恩晶体管特性曲线图示仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005C-1
- 产地:西安
可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。
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测试分析、器件选型元器件测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-7
- 产地:西安
系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
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新能源汽车、轨道机车检修IGBT测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-3020B
- 产地:西安
EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。
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电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机专用测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-6
- 产地:西安
采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定300uS 被测器件引脚接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏
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开尔文感应结构的测试插座半导体参数测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-4
- 产地:西安
系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。
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EN-2005B功率器件综合测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-2
- 产地:西安
应用领域 院所、高校、半导体器件生产厂商、 电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、 新能源汽车、轨道机车检修等
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易恩半导体分立器件测试系统
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-2005B-1
- 产地:西安
真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际偏差很大) 系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障 二极管极性自动判断功能,无需人工操作
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美国吉时利 替代品 易恩MOS测试仪
- 品牌:西安易恩电气
- 型号: EN-MOS
- 产地:西安
此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。 开关时间测试单元 开启延迟时间(Td(on)) 上升时间(Tr) 关断延迟时间(Td(off)) 下降时间(Tf) 开启损耗Eon 关断损耗Eoff 二极管反向恢复测试单元 反向恢复时间(Trr) 反向恢复电荷(Qrr) 栅极电荷测试单元 阈值电荷(Qg(th)) 栅电荷(Qg) 静态全参数测试单元 RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25 雪崩测试单元 雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)
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