用户论文：对纳米硅薄膜高电导机制的探讨

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使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米硅薄膜（nc－Si:H）具有高电导特性唯理论探讨其导电机制，先使用K.Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算指出，nc－Si:H膜中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体另一方面，实验证实nc－Si:H膜的电导率随平均晶粒尺寸减小而增大，具有明显的小尺寸效益文中S次提出，nc－Si:H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si:H膜的电导率实验曲线进行了讨论理论与实验结果符合得很好又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0.30和0.70处呈现出两个明显的相变点 全文请访问：http://www.spm.com.cn/papers/p56.pdf 扫描探针显微镜(SPM/AFM/STM)