用户论文：半金属铋薄膜导电特性和粗糙度的研究

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本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi 薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM) 研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm ,直径10 nm ,间距10 nm) ,随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通( R 20 M) ,粗糙度随膜厚增加而减小当等效厚度d = 1. 74 nm时,薄膜导通( R 13 M) ,薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构,粗糙度在此厚度附近达到Z小值然后又增大随着薄膜继续生长,连续状结构的厚度增加,薄膜电阻随之迅速减小,当d 2. 4 nm时薄膜电阻趋近于稳定值2k 全文请访问：http://www.spm.com.cn/papers/p02.pdf 扫描探针显微镜(SPM/AFM/STM)