- 2025-02-12 09:27:40溅射镀膜机
- 溅射镀膜机是一种用于制备薄膜材料的设备。它利用溅射原理，将靶材材料在真空或惰性气体环境中溅射到基片上，形成所需的薄膜。该设备具有镀膜质量好、生产效率高、可制备多种材料等优点，广泛应用于光学、半导体、电子等领域。溅射镀膜机是实现高质量薄膜制备的重要工具，为科研和工业生产提供了关键的技术支持。
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溅射镀膜机问答
- 2023-08-22 15:39:43小型金属溅射镀膜机优点
- 郑科探小型溅射仪功能优势1、样品台旋转，多样品同时镀膜时，镀膜厚度比较均匀。2、预溅射挡板功能，刚开始镀膜的时候腔室里会有些杂质，挡板可以保护样品，提高薄膜质量3、带有水冷系统，可以长时间溅射镀膜，厚度可达1微米以上。4、直流磁控溅射，提高附着力，溅射速率快，比离子溅射快上一个量级。针对某些金属最快能达到1-2纳米每秒，5、不但可以电镜制样，还可以制作金属电极。6、可扩展膜厚监测，监测薄膜厚度。溅射仪使用需注1 靶材需要良好的导电性, 如果具备这个条件 可以镀 2 遇到容易氧化的金属 需要配备分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氩气维持真空到1Pa左右镀膜的金属接近本色
96人看过
- 2023-07-29 15:21:33小型溅射仪问题解答
- 小型溅射仪仪问仪答最近小伙伴对于溅射仪使用和技术参数问的问题比较多，今天总结一下溅射仪的一些常见的技术问题：1、膜厚检测仪原理：膜厚监测仪是采用石英晶体振荡原理，利用频率测量技术加上先进的数学算法，进行膜厚的在线镀膜速率和实时厚度计算。主要应用于MBE、OLED或金属热蒸发、磁控溅射设备的薄膜制备过程中，对膜层厚度及镀膜速率进行实时监测。2、溅射仪是否可以镀镍：可以镀镍 但是 镍是导磁金属 所以 需要靶材尽量薄 0.5mm-1mm 太厚磁场无法穿透 溅射速率很低。3、直流溅射镀膜调节：1 靶材需要良好的导电性, 如果具备这个条件 可以镀 2 遇到容易氧化的金属 需要配备分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氩气维持真空到1Pa左右镀膜的金属接近本色。郑科探小型溅射仪KT-Z1650PVD以上是小伙伴近期问的比较多的问题，如果还有什么问题欢迎咨询。
80人看过
- 2023-04-18 10:41:21小型溅射仪问题解答
- 最近小伙伴对于溅射仪使用和技术参数问的问题比较多，今天总结一下溅射仪的一些常见的技术问题：1、膜厚检测仪原理：膜厚监测仪是采用石英晶体振荡原理，利用频率测量技术加上先进的数学算法，进行膜厚的在线镀膜速率和实时厚度计算。主要应用于MBE、OLED或金属热蒸发、磁控溅射设备的薄膜制备过程中，对膜层厚度及镀膜速率进行实时监测。2、溅射仪是否可以镀镍：可以镀镍 但是 镍是导磁金属 所以 需要靶材尽量薄 0.5mm-1mm 太厚磁场无法穿透 溅射速率很低。3、直流溅射镀膜调节：1 靶材需要良好的导电性, 如果具备这个条件 可以镀 2 遇到容易氧化的金属 需要配备分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氩气维持真空到1Pa左右镀膜的金属接近本色。郑科探小型溅射仪KT-Z1650PVD以上是小伙伴近期问的比较多的问题，如果还有什么问题欢迎咨询。
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- 2021-03-18 15:46:05KRI射频离子源RFICP380溅射沉积NSN70隔热膜
- 某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明显的问题. KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380Discharge 阳极射频 RFICP离子束流>1500 mA离子动能100-1200 V栅极直径30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度39 cm直径59 cm中和器LFN 2000 在柔性基材 PET 上沉积 AgCu 合金制备的 NSN 系列隔热膜, 继承了单 Ag 隔热膜良好的光谱选择性, 同时能有效的解决 Ag 易硫化的难题, 还具有抗氧化功能, 以防止隔热膜长期放置透射率指标变化过大. NSN70 隔热膜是沉积 AgCu 合金的金属膜系结构产品, 它生产效率高、隔热性好. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
356人看过
- 2021-03-01 13:17:38KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体
- 河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度24.6 cm直径24.6 cm中和器LFN 2000 试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明:实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％. 相比传统的有以下优点：更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升. KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. KRI 离子源是领域公认的, 已获得许多ZL. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.
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