光刻工艺中温度均匀性对烘烤固化过程的影响，以及该如何校准温场均匀性！

温度均匀性在光刻工艺中的烘烤固化过程中至关重要，它直接影响光刻胶的固化质量和最终的图案质量。

温度曲线控制对图案质量的影响

在光刻胶PI固化过程中，不同类型的光刻胶PI具有特定的固化温度曲线，一般烤箱可预设温度曲线，而不是不是线性加热，精确控制升温速率、保温时间和降温速率。以确保固化反应均匀进行，避免因温度变化过快导致光刻胶内部产生应力，影响图案质量。

同时精准的温度控制可保证晶圆各部分受热均匀，防止因局部过热或过冷造成晶圆变形或内部结构损坏，从而提高晶圆的良品率。

温度均匀性对于光刻胶PI固化和半导体晶圆烘烤至关重要，因为温度不均匀可能导致光刻胶固化程度不一致，影响光刻图案的精度，以及使半导体晶圆内部产生应力，降低晶圆的电学性能和机械性能。

半导体制造工艺中，在真空无氧环境下均匀烘烤，光刻胶PI的固化反应更加纯净、均匀，光刻图案的边缘清晰度和精度得到提升，从而有助于制造出更加精细、高性能的半导体器件。

TC-Wafer校准仪对工艺温度的校准

通过TC-Wafer校准仪可以对烘烤固化过程中温度均匀性精准的实时测定，来辅助对设备控温进行调整，达到合适的温度曲线。

TC-Wafer校准仪特点：

测温准确：温度分辨率0.1℃、采集周期为200ms，能准确测量晶圆温场均匀性；

显示直观：支持20路实时测量(可定制)，显示实时点位图及温度分布图，可在使用过程中实时观察各点温度变化；

使用便捷：仪器集成度高，即插即用，配备磁吸支架可贴靠于设备表面。测试记录完整数据，并能自动生成测试报告；

功能强大：10000条历史数据存储量，能以图表形式调阅历史温度和均匀性数据。可做同一台设备不同时间段、以及不同设备同一配方的数据对比；