上海品测SMEE 500系列光刻机在IC后道先进封装领域发挥着关键作用,尤其在晶圆级封装、WLP与微凸点等工艺节点的光刻环节。本文以产品知识普及为主,聚焦参数、型号与场景应用,便于实验室、科研与工业现场的技术对照与选型决策。
核心参数与型号简表
SMEE 500A
波长/光源:365 nm,深紫外固态光源,光谱稳定性高
工作晶圆尺寸:8英寸(大支持范围内的主流后道晶圆尺寸)
光学分辨率与对位精度:线宽分辨率优先,亚微米级对位重复性,标称对位重复性≤0.3 μm rms
X/Y/Z 行程:X 200 mm,Y 200 mm,Z 25 mm,适配薄膜/金属化层的微米级厚度变化
曝光能量与均匀性:能量稳定性≤0.5%/8小时,曝光均匀性±2%(整台单元平均值)
适用工艺:晶圆级封装中的薄膜走线、金属公用层曝光、微结构光刻
主要特点:模块化光学头设计,易于维护的防尘与洁净气路,支持快速换片与简化对位程序
SMEE 500B
波长/光源:405 nm,近紫外/固态混合光源,兼容多种封装材料
工作晶圆尺寸:8–12英寸通用适配
对位精度:重复性≤0.25 μm rms,初/再对位误差极低
行程与定位:X/Y 250 mm,Z 30 mm
曝光参数:能量稳定性≤0.4%/8小时,均匀性±1.8%
典型应用:微凸点、凸点再分布层、封装用金属化膜的光刻
特色:增强的对位引导与自诊断能力,适合大批量产线的稳定性需求
SMEE 500C
波长/光源:可选365/405 nm,提供更灵活的波长组合
大晶圆尺寸/适配性:8–12英寸皆可,模块化换头降低切换时间
对位与重复性:重复性≤0.2 μm rms,长期稳定性优异
行程与工作环境:X/Y 260 mm,Z 28 mm,环境自控能力提升
能量与均匀性:能量波动控制在0.3%/8小时,均匀性±1.6%
特点与应用:/支持后道封装中更高密度的线宽需求,兼容多层膜结构的叠层光刻
技术特性要点
应用场景概览
数据要点汇总(便于快速对比)
场景化FAQ
通过对型号、参数与场景的拆解,SMEE 500系列为IC后道先进封装提供了灵活、稳定的光刻解决方案。若需要进一步的技术对照表、单机产能评估或现场方案定制,请提供目标晶圆尺寸、目标线宽区间及封装材料清单,我们可以基于具体工艺节点给出更精细的参数对比与选型建议。
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SMEE 500系列光刻机 —— IC后道先进封装
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