上海品测SMEE 300系列光刻机 —— LED、MEMS、Power Devices参数

上海品测SMEE 300系列光刻机面向LED、MEMS、Power Devices三大应用领域，提供300毫米晶圆能力、灵活的波长配置与高稳定性的光学平台，旨在覆盖从研发验证到中等产能生产的全流程场景。系列核心优势在于高对位稳定性、快速对准能力以及对LED微结构、MEMS微加工和功率器件薄膜图形的友好适配。以下以参数、型号与特点为主线，帮助从业人员快速把握产品要点与选型思路。

核心参数与型号

• 模型：SMEE-300A 基本型

  
  

• 适用领域：LED微结构、MEMS初级工艺

  
  

• 波长选项：365 nm（i-line），可选 405 nm

  
  

• 大晶圆尺寸：300 mm

  
  

• 有效曝光场：20 mm × 20 mm（全场可覆盖26 mm × 26 mm的边缘区域）

  
  

• 小线宽/分辨率：约0.8 μm

  
  

• 对准精度：3σ ≤ 0.3 μm

  
  

• 步进/走位速度：X/Y 方向约0.5 μm步距，走位速度约120 mm/s

  
  

• 曝光能量范围：0.5–20 mJ/cm²

  
  

• 产能估算：60–75 wafers/h，受图形密度与涂布工艺影响

  
  

• 环境要求：洁净室等级 ISO 5，光学平台温控 ±0.1°C

  
  

• 其他特性：经济型配置，易于研发到小批量切换

  
  

• 模型：SMEE-300B 高速型

  
  

• 适用领域：LED高密度结构、MEMS高通量工艺

  
  

• 波长选项：365 nm / 405 nm

  
  

• 大晶圆尺寸：300 mm

  
  

• 有效曝光场：同上

  
  

• 小线宽/分辨率：约0.6 μm

  
  

• 对准精度：≤0.25 μm

  
  

• 步进/走位速度：0.4 μm步距，XY走位速度约180 mm/s

  
  

• 曝光能量范围：0.3–60 mJ/cm²

  
  

• 产能估算：80–110 wafers/h

  
  

• 额外功能：快速对准算法、热稳定与自动对位诊断

  
  

• 其他：更高的吞吐配置，适合中等产能需求的研发-生产过渡

  
  

• 模型：SMEE-300C 超高分辨型

  
  

• 适用领域：Power Devices、SiC/GaN 等器件的微结构工艺

  
  

• 波长选项：365 nm 基础，支持 405 nm，必要时可选 248 nm（深紫外选项）

  
  

• 大晶圆尺寸：300 mm

  
  

• 有效曝光场：26 mm × 26 mm

  
  

• 小线宽/分辨率：约0.5 μm

  
  

• 对准精度：≤0.2 μm（3σ）

  
  

• 步进/走位速度：0.35 μm步距，XY走位速度约200 mm/s

  
  

• 曝光能量范围：0.2–80 mJ/cm²

  
  

• 产能估算：100–140 wafers/h，适用较高产能场景

  
  

• 关键特性：高稳定光源、热稳定化平台、全局对位数据库与自诊断

  
  

• 兼容性：对Si、GaN、SiC 等材料的工艺参数具有良好适应性

  
  

关键技术亮点与应用要点

• 光源与波长灵活性：365 nm为基础配置，并提供405 nm与深紫外选项，覆盖LED微结构、MEMS微加工与功率器件薄膜的多样工艺需求。通过可切换波长实现图形对比与工艺窗口扩展。
• 高对位与高稳定性：三类型号在3σ对准精度方面分别实现≤0.3 μm、≤0.25 μm、≤0.2 μm的水平，辅以热控与振动抑制设计，确保在长时间运行中的重复性与稳定性。
• 300 mm晶圆能力：面向从研发到中等产能生产的场景，兼顾大尺寸晶圆带来的材料利用率与工艺对比需求，支持LED、MEMS与功率器件的多类型工艺栈。
• 场景友好型工艺支持：设备的场景适配性体现在对LED微结构阵列、MEMS微结构阵列与SiC/GaN相关薄膜图形的兼容性，伴随完善的工艺参数数据库与过程追踪能力。
• 设备集成与维护：提供远程诊断、在线参数监控与维护预警，减少非计划停机时间；标准化的接口（以太网/USB）便于与工厂MES/WMS及设备管理平台对接。

场景化FAQ

• 在LED微结构晶圆上实现微透镜阵列，SMEE 300系列能达到的关键点是什么？ • 以SMEE-300B为例，365 nm/405 nm双波长配置结合0.6 μm的最小线宽和≤0.25 μm的对准精度，能实现微透镜阵列的高密度栅格化，配合20–26 mm场的稳定曝光与快速对准算法，适合中等密度阵列的研发到产线切换。对于更高密度需求，可以考虑超高分辨型SMEE-300C的0.5 μm线宽与≤0.2 μm对准精度，同时利用深紫外选项处理特定材料。
• MEMS工艺中，选择哪一型号更合适？ • 若为初步验证和低至中等产能，SMEE-300A即可提供稳定的曝光与对准，成本更友好；若需要更高吞吐和更紧密的对位控制，SMEE-300B提供更高的走位速度与0.25 μm级对准；对需要极致分辨率和高产能的MEMS线性/微结构阵列，SMEE-300C在0.5 μm线宽和≤0.2 μm对准精度方面具备优势。
• Power Devices（SiC/GaN等）工艺要点有哪些，设备能否胜任？ • 该类器件常需较短波长或深紫外光刻来实现高分辨率的薄膜图形，SMEE-300C的可选248 nm深紫外能力有助于此类应用，基础365/405 nm也可覆盖大多数薄膜通用工艺。核心关注点包括对位稳定性、热稳定性与场内均匀性，以及对材料热膨胀的耐受性。
• 投入使用前需关注哪些环境条件？ • 设备对洁净度和温控要求较高，建议落地ISO 5级或等效级别的洁净环境，光学平台保持温控在 ±0.1°C 级别，同时确保稳定的振动控制和电力质量；备件与维护支持需要与制造商建立长期的服务合约。
• 维护周期和备件策略如何确定？ • 建议建立基于运行小时数的预防性维护计划，包含光学组件清洁、对准标定、光源寿命评估与驱动电子的冗余设计检查。备件方面优先建立关键易耗件库存（光源模块、透镜组、对准传感器、伺服电机），以缩短故障恢复时间。
• 与其他厂商的竞争优势体现在何处？ • SMEE 300系列在300 mm晶圆能力下提供三档不同定位的型号选项，兼具波长灵活性与高对位精度，能够覆盖LED/ MEMS/ Power Devices的多场景需求，并通过完善的诊断与数据库管理提升工艺重现性与追踪性。对中小批量到中等产能的工艺路线，更具性价比与灵活性。

总结 SMEE 300系列在保持300 mm晶圆能力的前提下，向LED、MEMS和Power Devices等领域提供了从基础到高端的多层次解决方案，突出高对位精度、波长灵活性与产能梯度，以满足研发验证、量产迁移和工艺优化的真实场景需求。通过型号差异与可选配置的组合，实验室和企业级用户可以在预算与产能之间找到合适的平衡点，并获得稳定可重复的工艺结果。若需要进一步的配置清单、方案或现场评估，我可以根据你具体的工艺节点、晶圆尺寸和产能目标，给出定制化的选型建议与对比表。