上海晶诺微半导体缺陷检测 PULSAR系列以高分辨率成像、智能缺陷识别与灵活的产线对接能力为核心,覆盖晶圆级、掩模与封装后道的缺陷检测需求。本文以产品知识普及的角度,聚焦参数、型号与特点的对比,帮助实验室、科研及工业现场的工程师快速定位适配方案。以下信息以官方公布为基准,实际参数以出厂配置为准。
PULSAR-XS
- 型号定位与适用范围
- 适用于8–12英寸晶圆的前道缺陷筛查与初级分级,亦可用于中等尺寸掩模的快速检测场景。
- 核心参数(典型配置范围,具体以合同为准)
- 分辨率:约0.6 μm
- 光源与波长:405 nm/532 nm 双波段可选
- 成像通道:4通道多光谱成像
- FOV/探测面积:约180×180 mm 级别
- 扫描吞吐:中速线性扫描,适合批量初筛
- 主要特点
- 成本效益高、机身紧凑、占用产线空间小
- 自动对准、缺陷定位与初步分类功能集成
- 较低能耗、易于日常维护与快速上手
- 典型应用
- 片级初筛、颗粒与膜层剥离初级识别、良率趋势分析
- 改善良率统计口径、提供产线报警的早期信号
- 兼容性与扩展
- 支持与常用EDA、缺陷统计与产线MES系统的对接(API/ODS接口)
- 支持简单的脚本化报告导出与自定义缺陷模板
PULSAR-M
- 型号定位与适用范围
- 中端型号,面向150–300 mm晶圆及等效尺寸的全面缺陷检测,以及掩模前后段的稳定监测。
- 核心参数(典型配置范围)
- 分辨率:约0.5 μm
- 光源:405/450/633 nm 可选
- 成像通道:4–6 通道可选
- FOV/探测面积:约230×230 mm
- 扫描吞吐:较高吞吐,适合日稳态产线场景
- 主要特点
- 可选多光谱成像与深度学习缺陷识别的组合
- 自动缺陷分级、统计与趋势分析,便于产线诊断
- 典型应用
- 90–95% 阈值级别的晶圆级缺陷检测、掩模直观缺陷定位
- 封装前后道的薄膜、粘附性及开孔等缺陷监测
- 兼容性与扩展
- 与产线控制系统的接口友好,支持OPC UA、REST API等
- 可结合离线AI模型进行缺陷特征学习与更新
PULSAR-XP
- 型号定位与适用范围
- 高端旗舰型号,针对全产线300 mm 及以上先进节点和高要求场景设计,覆盖高分辨率与大面积成像需求。
- 核心参数(典型配置范围)
- 分辨率:0.3–0.4 μm
- 光源与波长:多通道可选,支持可变波长组合
- 成像通道:6 通道及以上
- FOV/探测面积:260×260 mm 级别
- 扫描吞吐:高吞吐,支持并行化处理
- 主要特点
- AI 驱动的缺陷识别与分级,支持自学习与模型更新
- 高稳定性与可重复性,适合大规模生产线的长期运行
- 全局缺陷统计、产线报警及追溯能力强
- 典型应用
- 全产线级别的高分辨率缺陷检测、晶圆级缺陷分级与追溯、掩模及封装后道的高端检测
- 兼容性与扩展
- 强化型接口适配,兼容现有制程控制平台,提供定制化数据报表模板
- 云端与本地双向数据存储方案,支持历史数据深度分析
应用领域与场景化要点
- 晶圆级缺陷检测:从前道晶圆到后道工序的连续监控,提供从颗粒、微裂纹到薄膜失效等多类缺陷的定位与统计分析。
- 掩模检查:高对比度成像与多波段组合,有效识别掩模缺陷、剥离、残留物等,提升掩模良率。
- 封装与后道检测:对焊球、键合质量、封装界面缺陷进行快速识别与分级,减少返工成本。
- 数据治理与产线集成:统一缺陷分类体系,生成可追溯的质控报告,与MES/ERP无缝对接,支持趋势分析、产线报警与工艺改进。
场景化FAQ
- PULSAR系列与传统检测系统相比的优势在哪里?
- 提供多波段成像、AI 支持的缺陷识别与分级,以及与产线系统的深度对接,提升检测灵敏度与数据可用性。
- 如何选择适配的机型?
- 以晶圆尺寸、所需分辨率与产线吞吐量为核心,XS偏向成本敏感的初筛场景,M适合中高性价比的日常生产,XP则满足对分辨率与追溯要求极高的场景。
- 能否与现有制程控制系统对接?
- 支持OPC UA、REST API等接口,能与常见MES/ERP以及EDA工具链对接,便于报告自动化与数据共享。
- 软件更新与AI模型的维护如何?
- 提供定期的软件更新和AI模型再训练服务,支持本地离线训练与云端模型更新,确保缺陷判定随工艺演进而演进。
- 安装与培训需要多长时间?
- 标准化配置通常在1–2周内完成安装与调试,包含现场培训与初步工艺对接,定制化需求可能略有延展。
- 数据安全与合规性如何保障?
- 数据在本地存储与云端备份双通道保护,具备访问控制、审计日志与数据脱敏机制,符合产业界普遍的安全与隐私要求。
如需进一步对比三种机型的详细参数表、现场案例与报价区间,欢迎联系上海晶诺微销售与技术支持团队,我们可根据您的产线规格、节点需求与预算提供定制化选型报表与现场评估。
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